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推薦技術(shù)材料產(chǎn)業(yè)財(cái)經(jīng)應(yīng)用

中科大孫海定iGaN實(shí)驗(yàn)室研究三維垂直集成microLED陣列實(shí)現(xiàn)無掩膜深紫外光刻新技術(shù)

半導(dǎo)體可控?fù)诫s：浙大實(shí)現(xiàn)116萬尼特超亮鈣鈦礦LED登《自然》

張榮院士團(tuán)隊(duì)在光學(xué)領(lǐng)域國際知名期刊發(fā)表封面文章

中國科大在仿生光電神經(jīng)感知器件領(lǐng)域取得新突破

北京大學(xué)王新強(qiáng)教授團(tuán)隊(duì)：推動(dòng)高功率UVC-LED晶圓進(jìn)入低成本4英寸時(shí)代！

英飛凌率先開發(fā)全球首項(xiàng)300mm氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)，推動(dòng)行業(yè)變革

國產(chǎn)自主研發(fā)28nm顯示芯片量產(chǎn)

香港理大成功研發(fā)16位量子比特半導(dǎo)體微型處理器

我國首次突破溝槽型碳化硅MOSFET芯片制造技術(shù)

廈門大學(xué)研究團(tuán)隊(duì)在金剛石熱輸運(yùn)研究取得重要進(jìn)展

《Applied Physics Letters》發(fā)表西電大馬曉華教授研究組科研成果

國內(nèi)高校實(shí)現(xiàn)Micro LED技術(shù)突破，涉及深紫外、光通訊

我國科學(xué)家實(shí)現(xiàn)材料突破，可用于開發(fā)低功耗芯片

北大電子學(xué)院張志勇課題組提出集成電路用碳納米管材料要求

上海微系統(tǒng)所成功開發(fā)面向二維集成電路的單晶金屬氧化物柵介質(zhì)晶圓

IMEC使用ASML最新High-NA EUV取得芯片制造突破

晶鉆科技同質(zhì)外延單晶金剛石新突破

西電在邏輯運(yùn)算器件領(lǐng)域取得重要突破

光谷光通信傳輸最新成果，又破世界紀(jì)錄！

極紫外光刻新技術(shù)問世能大幅提高能源效率并降低半導(dǎo)體制造成本

基本半導(dǎo)體銅燒結(jié)技術(shù)在碳化硅功率模塊中的應(yīng)用

深圳這家半導(dǎo)體工廠宣布停工停產(chǎn)放假3個(gè)月

中國科學(xué)院化學(xué)研究所張德清課題組在聚合物半導(dǎo)體圖案化加工方面取得新進(jìn)展

半導(dǎo)體所等在砷化鎵（GaAs）中產(chǎn)生自旋極化研究方面取得進(jìn)展

中國科學(xué)院半導(dǎo)體所在氮化物位錯(cuò)演化機(jī)制及光電神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)器件研究領(lǐng)域取得新進(jìn)展

北美科學(xué)家研發(fā)出一種新型超薄晶體薄膜半導(dǎo)體

我國攻克1200V以上增強(qiáng)型氮化鎵電力電子芯片量產(chǎn)技術(shù)

中國科學(xué)院鄭婉華院士團(tuán)隊(duì)半導(dǎo)體所有源光束掃描激光器研發(fā)取得進(jìn)展

中國科學(xué)院半導(dǎo)體所在可調(diào)諧MEMS-VCSEL研究方面取得進(jìn)展

北京大學(xué)在GaN功率器件可靠性與集成技術(shù)方面取得系列進(jìn)展

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