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推薦技術材料產(chǎn)業(yè)財經(jīng)應用

跨越7公里！我國科學家研究分布式光量子計算獲重要進展

北京大學深圳研究生院在高性能低維柔性電子集成方向取得重要進展

九峰山實驗室再次在硅光子集成領域取得突破性進展

中科大孫海定iGaN實驗室研究三維垂直集成microLED陣列實現(xiàn)無掩膜深紫外光刻新技術

半導體可控摻雜：浙大實現(xiàn)116萬尼特超亮鈣鈦礦LED登《自然》

張榮院士團隊在光學領域國際知名期刊發(fā)表封面文章

中國科大在仿生光電神經(jīng)感知器件領域取得新突破

北京大學王新強教授團隊：推動高功率UVC-LED晶圓進入低成本4英寸時代！

英飛凌率先開發(fā)全球首項300mm氮化鎵功率半導體技術，推動行業(yè)變革

國產(chǎn)自主研發(fā)28nm顯示芯片量產(chǎn)

香港理大成功研發(fā)16位量子比特半導體微型處理器

我國首次突破溝槽型碳化硅MOSFET芯片制造技術

廈門大學研究團隊在金剛石熱輸運研究取得重要進展

《Applied Physics Letters》發(fā)表西電大馬曉華教授研究組科研成果

國內(nèi)高校實現(xiàn)Micro LED技術突破，涉及深紫外、光通訊

我國科學家實現(xiàn)材料突破，可用于開發(fā)低功耗芯片

北大電子學院張志勇課題組提出集成電路用碳納米管材料要求

上海微系統(tǒng)所成功開發(fā)面向二維集成電路的單晶金屬氧化物柵介質(zhì)晶圓

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晶鉆科技同質(zhì)外延單晶金剛石新突破

西電在邏輯運算器件領域取得重要突破

光谷光通信傳輸最新成果，又破世界紀錄！

極紫外光刻新技術問世能大幅提高能源效率并降低半導體制造成本

基本半導體銅燒結(jié)技術在碳化硅功率模塊中的應用

深圳這家半導體工廠宣布停工停產(chǎn)放假3個月

中國科學院化學研究所張德清課題組在聚合物半導體圖案化加工方面取得新進展

半導體所等在砷化鎵（GaAs）中產(chǎn)生自旋極化研究方面取得進展

中國科學院半導體所在氮化物位錯演化機制及光電神經(jīng)網(wǎng)絡器件研究領域取得新進展

北美科學家研發(fā)出一種新型超薄晶體薄膜半導體

我國攻克1200V以上增強型氮化鎵電力電子芯片量產(chǎn)技術

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