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推薦技術(shù)材料產(chǎn)業(yè)財(cái)經(jīng)應(yīng)用

江蘇通用半導(dǎo)體成功實(shí)現(xiàn)剝離出130um厚度超薄SiC晶圓片

西安電子科技大學(xué)攻克 1200V 以上增強(qiáng)型氮化鎵電力電子芯片量產(chǎn)技術(shù)

復(fù)旦大學(xué)研發(fā)半導(dǎo)體性光刻膠，實(shí)現(xiàn)特大規(guī)模集成度有機(jī)芯片制造

北大王瑋教授團(tuán)隊(duì)在芯片熱管理領(lǐng)域取得進(jìn)展

積塔半導(dǎo)體BCD復(fù)合高壓隔離器平臺開發(fā)團(tuán)隊(duì)：積沙成塔，用“芯”取得新突破

中國科學(xué)家在半導(dǎo)體領(lǐng)域獲突破登上《自然》雜志

名古屋大學(xué)天野浩團(tuán)隊(duì)Nature發(fā)文：氮化鎵的2D-Mg摻雜現(xiàn)象

Nano Lett.∣高效載流子倍增實(shí)現(xiàn)紫外光電探測器EQE突破

西安交大劉明教授團(tuán)隊(duì)在柔性自支撐反鐵電氧化物單晶薄膜研究方面取得新進(jìn)展

808nm高功率半導(dǎo)體激光芯片取得重大突破

晶合集成申請半導(dǎo)體專利，能提高半導(dǎo)體器件的穩(wěn)定性和平衡性

沙特KAUST李曉航團(tuán)隊(duì)：無刻蝕損傷的microLED像素制造技術(shù)

呂堅(jiān)院士團(tuán)隊(duì) l 3D打印莫來石增強(qiáng)的碳化硅氣凝膠復(fù)合材料

復(fù)旦大學(xué)芯片院在高速低EMI功率集成電路設(shè)計(jì)領(lǐng)域取得重要進(jìn)展

國內(nèi)首款！2Tb/s三維集成硅光芯粒成功出樣

我國高性能光子芯片領(lǐng)域取得突破可批量制造！

技術(shù)進(jìn)展|突破性研究：GaN-on-Diamond鍵合界面熱阻顯著降低

科學(xué)家提出傾斜臺階面外延生長菱方氮化硼單晶方法

中國科大孫海定教授和武大劉勝院士Nature Electronics封面論文: 發(fā)明新型氮化鎵光電二極管

厚度達(dá)100 mm! 碳化硅單晶生長取得新進(jìn)展

北京大學(xué)取得AlGaN基深紫外發(fā)光二極管器件結(jié)構(gòu)及其制備方法專利，顯著提升器件的光輸出功率

日本開發(fā)在磁場下實(shí)現(xiàn)電阻開關(guān)效應(yīng)的半導(dǎo)體器件

九峰山實(shí)驗(yàn)室+華中科大聯(lián)合攻關(guān)，一種新型光刻膠技術(shù)完成初步工藝驗(yàn)證

廈門大學(xué)康俊勇教授團(tuán)隊(duì)：人工智能無損表征技術(shù)，助力SiC晶體生長

一種IGBT結(jié)溫預(yù)測的方法

北京大學(xué)申請p溝道氮化鎵異質(zhì)結(jié)晶體管及其制備方法專利，實(shí)現(xiàn)電流密度的增加

中國科學(xué)院微電子所在厚膜氮化鎵與多晶金剛石異質(zhì)集成方面取得新進(jìn)展

廈門大學(xué)于大全教授團(tuán)隊(duì)與華為團(tuán)隊(duì)合作在先進(jìn)封裝金剛石散熱技術(shù)領(lǐng)域取得突破

西交大科研人員在hBN真空紫外探測器領(lǐng)域取得重要進(jìn)展

光谷實(shí)驗(yàn)室攻克量子點(diǎn)短波紅外成像新技術(shù)

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