自SK海力士官方獲悉，2月24日，SK海力士韓國京畿道龍仁半導體集群內(nèi)的SK海力士一期晶圓廠正式破土動工。

據(jù)了解，SK海力士去年7月通過董事會決議，決定投資約9.4萬億韓元（約合人民幣476.58億元）建設龍仁半導體集群一期晶圓廠及相關辦公設施。根據(jù)更廣泛的計劃，SK海力士計劃在龍仁集群內(nèi)分階段建設四座晶圓廠，一期工廠預計2027年5月竣工。該工廠建成后將成為高帶寬存儲器（HBM）等新一代DRAM存儲芯片生產(chǎn)基地。

同時，該公司還在韓國中部的清州建設HBM生產(chǎn)設施，預計將于今年年底完工。