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納微半導(dǎo)體為全新三星Galaxy智能手機家族注入快充動力

日期:2024-08-06 閱讀:266
核心提示:納微半導(dǎo)體(納斯達克股票代碼:NVTS)今日宣布其GaNFast氮化鎵功率芯片已獲三星智能手機系列廣泛采用,先后為旗艦機皇Galaxy S2

 納微半導(dǎo)體(納斯達克股票代碼:NVTS)今日宣布其GaNFast™氮化鎵功率芯片已獲三星智能手機系列廣泛采用,先后為旗艦機皇Galaxy S22、S23、S24,暢銷機型Galaxy A系列以及革命性的AI折疊屏手機Galaxy Z Fold6和Galaxy Z Flip6注入了氮化鎵快充動力。

氮化鎵(GaN)的運行速度比傳統(tǒng)硅快達20倍,圍繞其制成的充電器在體積和重量減半的同時,功率和充電速度提高3倍。GaNFast氮化鎵功率芯片帶來了高頻、高效率的功率轉(zhuǎn)換,與之前的硅基設(shè)計相比,充電器體積可減少50%。 

三星全新的25W氮化鎵充電器(型號:EP-T2510)搭載了先進的節(jié)能技術(shù),將待機損耗降低75%,僅為5mW。這款充電器的環(huán)保特性體現(xiàn)了納微快充技術(shù)的節(jié)能減碳潛力:納微每出貨一顆GaNFast氮化鎵功率芯片,相較傳統(tǒng)硅芯片可節(jié)省4公斤二氧化碳排放。

 

納微半導(dǎo)體全球高級銷售副總裁David Carroll表示,“自2018年助力全球首款氮化鎵充電器成功量產(chǎn)以來,納微一直是推動氮化鎵技術(shù)革新并實現(xiàn)對傳統(tǒng)硅芯片替代的先鋒。納微與三星的合作始于Galaxy S22 Ultra,而今天我們可以自豪地宣布:納微GaNFast技術(shù)已經(jīng)從高端旗艦機型擴展到主流走量機型,成為三星智能手機不可或缺的一部分。”

 (來源:納微芯球

 

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