自安世半導體(Nexperia)官網獲悉，當地時間6月27日，安世半導體宣布計劃投資2億美元，用于在德國漢堡市開發(fā)以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的下一代寬禁帶半導體(WBG)，并在漢堡工廠(Hamburg site)建立生產基礎設施。

與此同時，硅(Si)二極管和晶體管的晶圓廠產能將會增加。該項投資是在該生產基地成立100周年之際，與漢堡經濟事務部長Melanie Leonhard博士共同宣布的。

聲明中稱，為了滿足對高效功率半導體日益增長的長期需求，安世半導體將從2024年6月開始在德國開發(fā)和生產SiC、GaN和Si三種技術，這意味著安世半導體正在為電氣化和數字化領域的關鍵技術提供支持。

安世半導體首席運營官兼董事總經理Achim Kempe表示，這項投資加強了安世作為節(jié)能半導體領先供應商的地位。未來，漢堡工廠將覆蓋全系下一代寬禁帶半導體產品，同時仍然是最大的小信號二極管和晶體管工廠。安世將繼續(xù)致力于為標準應用和功率密集型應用生產高質量、低成本的半導體。

2024年6月，安世半導體首條高壓GaN d-mode晶體管和SiC二極管生產線投產，下一個里程碑將是SiC MOSFET和低壓GaN HEMT 8英寸現代化高性價比生產線，這些生產線將在漢堡工廠未來兩年內建成。該投資將有助于實現漢堡工廠現有基礎設施的自動化，并擴大硅生產能力。隨著潔凈室面積的擴大，新的研發(fā)實驗室正在建設中，以繼續(xù)確保未來從研究到生產的無縫過渡。