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2024年4月8-11日，一年一度化合物半導(dǎo)體行業(yè)盛會(huì)——2024九峰山論壇暨中國(guó)國(guó)際化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)博覽會(huì)（簡(jiǎn)稱(chēng)“JFSC＆CSE”）將于武漢光谷科技會(huì)展中心舉辦。新耕（上海）貿(mào)易有限公司將攜新品亮相本屆盛會(huì)，誠(chéng)邀業(yè)界同仁蒞臨A116展臺(tái)參觀、交流合作。

新耕（上海）貿(mào)易有限公司

本屆CSE博覽會(huì)由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟、九峰山實(shí)驗(yàn)室共同主辦，以“聚勢(shì)賦能共赴未來(lái)”為主題，將匯集全球頂尖的化合物半導(dǎo)體制造技術(shù)專(zhuān)家、行業(yè)領(lǐng)袖和創(chuàng)新者，采用“示范展示+前沿論壇+技術(shù)與商貿(mào)交流”的形式，為產(chǎn)業(yè)鏈的升階發(fā)展搭建供需精準(zhǔn)對(duì)接平臺(tái)，助力企業(yè)高效、強(qiáng)力拓展目標(biāo)客戶資源，加速驅(qū)動(dòng)中國(guó)化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的完善和升級(jí)。

CSE作為2024年首場(chǎng)國(guó)際化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)博覽會(huì)得到了多方力量的大力支持，三大主題展區(qū)，六大領(lǐng)域，將集中展示各鏈條關(guān)鍵環(huán)節(jié)的新技術(shù)、新產(chǎn)品、新服務(wù)，將打造化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域的標(biāo)桿性展會(huì)。助力打造全球化合物半導(dǎo)體平臺(tái)、技術(shù)、產(chǎn)業(yè)的燈塔級(jí)盛會(huì)，集中展示化合物半導(dǎo)體上下游全產(chǎn)業(yè)鏈產(chǎn)品，搭建企業(yè)發(fā)布年度新產(chǎn)品新技術(shù)的首選平臺(tái)，支撐產(chǎn)業(yè)鏈及中部地區(qū)建設(shè)具有全球影響力的萬(wàn)億級(jí)光電子信息產(chǎn)業(yè)集群。

69 新耕(上海)貿(mào)易有限公司

新耕（上海）貿(mào)易有限公司于2002年在上海成立，目前員工人數(shù)148人。新耕（上海）是辛耘企業(yè)全資子公司，辛耘企業(yè)臺(tái)灣上市時(shí)間2013年，編號(hào)3883。主要提供的產(chǎn)品項(xiàng)目包括半導(dǎo)體 (前段、后段)、化合物半導(dǎo)體、MEMS微機(jī)電、TFT/LCD等半導(dǎo)體相關(guān)行業(yè)。辛耘在半導(dǎo)體及相關(guān)產(chǎn)業(yè)深耕超過(guò)40+年，不論是半導(dǎo)體12”先進(jìn)制程的尖端產(chǎn)業(yè)亦或是化合物半導(dǎo)體、MEMS微機(jī)電、TFT/LCD等半導(dǎo)體相關(guān)產(chǎn)業(yè)都已建立深厚的客戶基礎(chǔ)及專(zhuān)業(yè)的技術(shù)團(tuán)隊(duì)。

產(chǎn)品介紹

Plasma-Therm是致力于RIE/ICP以及PECVD工藝設(shè)備的知名提供商，其設(shè)備涵蓋2”~ 8”主流ICP干法刻蝕工藝，廣泛應(yīng)用于三五族(GaAs / SiC )、GaN功率及射頻器件、VCSELs器件等化合物產(chǎn)業(yè)，以及MEMS和Si基半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。
產(chǎn)品圖1

設(shè)備特點(diǎn):

◆ Plasma-Therm公司有將近40年研發(fā)及制造干法刻蝕設(shè)備的歷史

◆ Plasma-Therm設(shè)備具有高穩(wěn)定性與高可靠度

◆ Plasma-Therm自有的軟硬件設(shè)計(jì)及完善QC系統(tǒng)

◆ Plasma-Therm設(shè)備配置靈活，包含手動(dòng)、半自動(dòng)、全自動(dòng)(片盒對(duì)片盒)型號(hào)滿足實(shí)驗(yàn)室研發(fā)及量產(chǎn)客戶需求

◆ Plasma-Therm設(shè)備在化合物半導(dǎo)體行業(yè)內(nèi)高占有率：目前世界范圍內(nèi)裝機(jī)數(shù)量超過(guò)2000臺(tái)

◆ Plasma-Therm RIE / ICP設(shè)備：

l 刻蝕速率可調(diào)；

l 低損傷控制（專(zhuān)利技術(shù)）；

l 側(cè)壁的角度和粗糙度控制技術(shù)；

l 極佳的刻蝕均勻性控制；

l 極佳的批次均勻性控制；

l 超長(zhǎng)的平均開(kāi)腔清潔時(shí)間間隔以及精準(zhǔn)靈敏的刻蝕斷點(diǎn)監(jiān)測(cè)技術(shù)；

◆Plasma-Therm連續(xù)15年被VLSI評(píng)為10 Best設(shè)備供應(yīng)商

產(chǎn)品圖2

產(chǎn)品3

產(chǎn)品圖4

產(chǎn)品圖5

設(shè)備簡(jiǎn)介： KLA Candela®8520表面缺陷及外延缺陷檢測(cè)設(shè)備

Candela®8520表面缺陷及外延缺陷檢測(cè)設(shè)備是針對(duì)化合物半導(dǎo)體行業(yè)（Si硅片及SiC基片及SiC外延片）的缺陷檢查分析設(shè)備。該設(shè)備利用激光掃描樣品的整個(gè)表面，通過(guò)多組頻道（散射光頻道、反射光頻道、相移頻道及Z頻道）的探測(cè)器所收集到的信號(hào)，快速的將缺陷（包括微粒、劃傷、坑點(diǎn)、污染、痕跡等）進(jìn)行分類(lèi)，統(tǒng)計(jì)每一種缺陷的數(shù)量并且量測(cè)出相應(yīng)的缺陷尺寸，后給出整個(gè)表面的缺陷分布圖以及檢測(cè)報(bào)告。根據(jù)預(yù)先設(shè)定的標(biāo)準(zhǔn)，可以給出檢測(cè)樣品合格與否的判斷。同時(shí)可以添加的PL功能可以針對(duì)化合物外延材料進(jìn)行高精度的外延缺陷檢測(cè)，在化合物外延領(lǐng)域擁有很高的市場(chǎng)占有率。

產(chǎn)品圖6

產(chǎn)品圖7

適用于Si晶圓，SiC基片及SiC外延片表面缺陷及EPI外延缺陷的檢測(cè)分析，包含微粒、劃傷、坑點(diǎn)、污染、痕跡，同時(shí)也可以添加PL功能用以檢測(cè)某些GaN EPI缺陷及SiC EPI缺陷。該設(shè)備可以兼容透明片和不透明片。

設(shè)備特點(diǎn)：

◆ 標(biāo)準(zhǔn)夾具從2英寸到8英寸的樣品，也可按需訂制方片和碎片夾具；

◆ 可用于不透明及透明的材料的表面缺陷檢測(cè)；

◆ 可偵測(cè)的缺陷類(lèi)型：顆粒，劃傷，突起，凹坑，水漬等；

◆ 可偵測(cè)化合物外延材料的專(zhuān)有外延缺陷(包含SiC外延)；

◆ 手動(dòng)8500和自動(dòng)傳輸模式8520；

◆ 高精度的顆粒缺陷靈敏度（60nm直徑）；

◆ 強(qiáng)大的自動(dòng)缺陷分類(lèi)、統(tǒng)計(jì)分布和判別軟件。缺陷分布圖以及檢測(cè)報(bào)告內(nèi)的每一個(gè)缺陷都有4個(gè)頻道拍到的照片儲(chǔ)存在設(shè)備內(nèi)部，這些照片可以輔助技術(shù)人員分析缺陷的成因及進(jìn)行相關(guān)驗(yàn)證。

◆ 內(nèi)部的過(guò)濾器可以保證內(nèi)部的潔凈環(huán)境為10級(jí)，防止內(nèi)部污染的同時(shí)該儀器還能長(zhǎng)期保持穩(wěn)定準(zhǔn)確。擁有優(yōu)秀的售后服務(wù)保障體系。

設(shè)備簡(jiǎn)介： P-7是KLA公司的第八代探針式臺(tái)階儀系統(tǒng)，歷經(jīng)技術(shù)積累和不斷迭代更新，集合眾多技術(shù)優(yōu)勢(shì)。P-7建立在市場(chǎng)領(lǐng)先的P-17臺(tái)式探針輪廓分析系統(tǒng)的成功基礎(chǔ)之上。它保持了P-17技術(shù)的卓越測(cè)量性能，并作為臺(tái)式探針輪廓儀平臺(tái)提供了極高的性價(jià)比。 P-7可以對(duì)臺(tái)階高度、粗糙度、翹曲度和應(yīng)力進(jìn)行2D和3D測(cè)量，其掃描可達(dá)150mm而無(wú)需圖像拼接。從可靠性表現(xiàn)來(lái)看，P-7具有業(yè)界領(lǐng)先的測(cè)量重復(fù)性。UltraLite®傳感器具有動(dòng)態(tài)力控制，良好的線性，和精準(zhǔn)的垂直分辨率等特性。友好的用戶界面和自動(dòng)化測(cè)量可以適配大學(xué)、研發(fā)、生產(chǎn)等不同應(yīng)用場(chǎng)景。

產(chǎn)品圖8