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長鑫存儲申請晶圓級封裝方法專利,提高晶圓封裝的良率

日期:2024-03-12 閱讀:238
核心提示:據(jù)國家知識產(chǎn)權(quán)局公告,長鑫存儲技術(shù)有限公司申請一項(xiàng)名為晶圓級封裝方法,公開號CN117690804A,申請日期為2022年9月。專利摘要

 據(jù)國家知識產(chǎn)權(quán)局公告,長鑫存儲技術(shù)有限公司申請一項(xiàng)名為“晶圓級封裝方法“,公開號CN117690804A,申請日期為2022年9月。

專利摘要顯示,本公開實(shí)施例提供一種晶圓級封裝方法,包括:提供晶圓;在晶圓中形成電連接結(jié)構(gòu),電連接結(jié)構(gòu)底部位于晶圓中,晶圓頂面露出電連接結(jié)構(gòu)的頂部;在晶圓上形成芯片,芯片與電連接結(jié)構(gòu)頂部電接觸;在晶圓上形成封裝結(jié)構(gòu),芯片位于封裝結(jié)構(gòu)中;對晶圓底面進(jìn)行第一背磨工藝,以露出電連接結(jié)構(gòu)的底部;形成導(dǎo)電結(jié)構(gòu),導(dǎo)電結(jié)構(gòu)與電連接結(jié)構(gòu)底部接觸。本公開實(shí)施例至少有利于提高晶圓封裝的良率。

 

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