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普興電子:年產24萬片SiC外延項目環(huán)評公示

日期:2024-02-27 閱讀:313
核心提示:普興電子官網宣布其“6英寸碳化硅外延片產業(yè)化項目”進行了第一次環(huán)境影響評價信息公示。

 2月23日,普興電子官網宣布,其“6英寸碳化硅外延片產業(yè)化項目”進行了第一次環(huán)境影響評價信息公示。

根據公告內容,該項目建設性質為擴改建,項目總投資3.5億元,用公司廠房,采購碳化硅外延爐116臺及配套測試儀器等,建設完成1條6英寸碳化硅外延片批量生產線,實現年產6英寸碳化硅外延片24萬片的生產能力。

據其官網消息,河北普興電子科技股份有限公司是中電科半導體材料有限公司控股的股份制公司,成立于2000年11月,是國家認定的高新技術和集成電路生產企業(yè),致力于高性能半導體材料的外延研發(fā)和生產,注冊資本1.445億元。公司已通過ISO9001、TS16949質量管理體系認證,ISO14001、ISO45001環(huán)境和職業(yè)健康安全管理體系認證。

普興公司的主要產品為各種規(guī)格型號的硅基外延片、氮化鎵和碳化硅外延片??蓮V泛應用于清潔能源、新能源汽車、航空航天、汽車、計算機、平板電腦、智能手機、家電等領域。客戶遍布中國大陸、港臺地區(qū),以及美國、日本、韓國、俄羅斯、印度等國際市場,在國內外市場享有較高的聲譽。

普興公司近年來充分利用科研優(yōu)勢,并將其轉化成市場和持續(xù)發(fā)展優(yōu)勢,不斷進行產品、技術創(chuàng)新升級,加快培育和研發(fā)新型材料。除在國內率先穩(wěn)定量產8英寸硅外延片并獲得各種獎項外,還率先開展研制了第三代寬帶隙半導體材料碳化硅(SiC)和氮化鎵(CaN)產品,這類材料突破了Si基器件的物理極限,具有禁帶寬度大、熱導率高、電子飽和遷移速率高和擊穿電場高等性質,在高溫、高壓、高頻、大功率電子器件領域和航天、軍工、核能等極端環(huán)境應用領域有著不可替代的優(yōu)勢。

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