9月15日，東科半導體（安徽）股份有限公司與北京大學共同組建的第三代半導體聯(lián)合研發(fā)中心正式揭牌成立。由北京大學科學研究部謝冰部長及馬鞍山市委書記袁方共同為北大-東科聯(lián)合研發(fā)中心揭牌。

揭牌儀式（圖左為袁方書記，右為謝冰部長）

北大-東科第三代半導體聯(lián)合研發(fā)中心，（以下簡稱“研發(fā)中心”）將瞄準國家和產(chǎn)業(yè)發(fā)展全局的創(chuàng)新需求，以第三代半導體氮化鎵關鍵核心技術和重大應用研發(fā)為核心使命，重點突破材料、器件、工藝技術瓶頸，增強東科半導體在第三代半導體技術上的創(chuàng)新能力和市場主導力。

打造高層次人才研發(fā)隊伍

北京大學集成電路學科作為我國第一個半導體專業(yè)，在學科建設、師資隊伍等綜合實力均處于國內(nèi)一流領先水平。 而東科半導體作為國內(nèi)最先研發(fā)布局氮化鎵芯片研究的企業(yè)，國內(nèi)首創(chuàng)合封氮化鎵電源管理芯片，其產(chǎn)品性能指標等同或部分超出國外同類產(chǎn)品，并以高性能、高可靠性和低功耗等特性被市場廣泛認可，實現(xiàn)國產(chǎn)替代。

東科半導體在繼青島、無錫、深圳、馬鞍山研發(fā)中心后新成立的北京研發(fā)中心，將借助北京大學及其他首都高校的研發(fā)技術及人才優(yōu)勢，以高標準打造出一支學歷層次高、專業(yè)覆蓋面廣、技術力量雄厚、產(chǎn)學研聯(lián)系緊密的研發(fā)隊伍。

隨著氮化鎵技術的不斷突破與完善，下游新的應用市場規(guī)模將不斷爆發(fā)，同時氮化鎵作為第三代半導體，其優(yōu)異特性將成為提升下游產(chǎn)品性能、降本增效、可持續(xù)綠色發(fā)展的關鍵技術之一。

未來，東科半導體的氮化鎵芯片將在繼續(xù)深耕快充等消費電子細分領域市場的同時，進一步拓展進入通信、工業(yè)電源、光伏、新能源等眾多產(chǎn)業(yè)領域，為推進芯片國產(chǎn)化進程不斷前行。