近日，晶盛機電在互動平臺表示，公司已掌握行業(yè)領(lǐng)先的8英寸碳化硅襯底工藝和技術(shù)，公司通過自有籽晶經(jīng)過多輪擴徑，成功生長出8英寸N型碳化硅晶體，解決了8英寸碳化硅晶體生長過程中溫場不均，晶體開裂、氣相原料分布等難點問題。公司建設(shè)了6-8英寸碳化硅晶體生長、切片、拋光環(huán)節(jié)的研發(fā)實驗線，通過持續(xù)加強技術(shù)創(chuàng)新和工藝積累，加快碳化硅襯底材料的發(fā)展進程。