半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)獲悉，近日，在加快推進(jìn)武漢具有全國影響力的科技創(chuàng)新中心建設(shè)暨湖北省科技創(chuàng)新大會上，2021年度湖北省科學(xué)技術(shù)獎勵正式揭曉。其中，湖北大學(xué)葉蔥教授團(tuán)隊(duì)存儲器成果榮獲自然科學(xué)獎二等獎。

 

該項(xiàng)目是省屬高校在微電子領(lǐng)域中獲批的唯一一項(xiàng)自然科學(xué)獎。項(xiàng)目成果聚焦下一代存儲芯片，攻關(guān)集成電路核心技術(shù)，將大力促進(jìn)湖北省“光芯屏端網(wǎng)”產(chǎn)業(yè)發(fā)展，服務(wù)地方經(jīng)濟(jì)的發(fā)展需求。

 

集成電路是國家重大戰(zhàn)略需求，也是電子信息產(chǎn)業(yè)的基石。存儲器在集成電路市場中占有重要份額，是解決集成電路卡脖子難題的關(guān)鍵技術(shù)。當(dāng)前主流的存儲技術(shù)閃存，在尺寸微縮過程無法有效存儲電荷，因而各類新型存儲受到科學(xué)家們的關(guān)注。其中，阻變存儲器因具有諸多優(yōu)點(diǎn)，成為最有潛力取代閃存的技術(shù)之一。

 

據(jù)湖北廣電介紹，湖北大學(xué)葉蔥教授及其團(tuán)隊(duì)長期致力于高K柵介質(zhì)薄膜的可控生長及阻變存儲器研究，取得系列突破：一是解決了高K介質(zhì)薄膜生長過程中，介電性能和界面難以調(diào)控的問題；二是原位觀測阻變存儲器中氧空位的動態(tài)演變過程并揭示其阻變機(jī)理；三是發(fā)展了系列阻變存儲材料及性能優(yōu)化技術(shù)，實(shí)現(xiàn)高性能低功耗阻變存儲器研制。