半導體產業(yè)網獲悉：4月12日，國內最資深的車規(guī)級功率半導體供應商——株洲中車時代電氣股份有限公司(688187)發(fā)布關于自愿披露控股子公司投資碳化硅芯片生產線技術能力提升建設項目的公告。
公告顯示，公司控股子公司株洲中車時代半導體有限公司擬投資4.62億元進行碳化硅芯片生產線技術能力提升建設項目，項目建設工期24個月。項目建成達產后，將現有平面柵SiCMOSFET芯片技術能力提升到滿足溝槽柵SiCMOSFET芯片研發(fā)能力，將現有4英寸SiC芯片線提升到6英寸，將現有4英寸SiC芯片線年10000片/年的能力提升到6英寸SiC芯片線25000片/年。
據市場研究和戰(zhàn)略咨詢公司Yole新近發(fā)布的Power SiC 2022報告指出，到2027年SiC器件市場預計將超過70億美元，比2021年的10億美元增長60億美元。這項價值數十億美元的業(yè)務將吸引更多廠商加入其中，未來將迎來新一輪的產能擴張和供應鏈整合。
時代電氣表示，本項目的建設是基于公司發(fā)展戰(zhàn)略和市場需求的重要舉措，符合國家政策發(fā)展方向，通過該項目的實施，有利于進一步擴大和增強企業(yè)競爭力，為公司碳化硅產業(yè)的發(fā)展帶來新的發(fā)展機遇。同時，項目完成后，公司工藝平臺能力、產品研發(fā)能力及生產制造能力進一步提升。從長遠來看，對公司的業(yè)務布局和經營業(yè)績均有積極作用。
全面提升第三代半導體關鍵芯片自主化
公開資料顯示，時代電氣主要從事軌道交通裝備產品的研發(fā)、設計、制造、銷售并提供相關服務，具有“器件+系統+整機”的產業(yè)結構。同時，公司在功率半導體器件、工業(yè)變流產品、新能源汽車電驅系統、傳感器件、海工裝備等領域開展業(yè)務。
為響應國家要求及公司整體發(fā)展戰(zhàn)略，公司半導體產業(yè)致力于打造先進的功率半導體器件自主核心技術，依托強大的應用及產業(yè)平臺，強化“芯片-模塊組件-裝置-系統”完整產業(yè)鏈，形成器件技術推動裝置進步、裝置技術拉動器件技術的良性循環(huán)。
在功率半導體器件領域，公司建有6英寸雙極器件、8英寸IGBT和6英寸碳化硅的產業(yè)化基地，擁有芯片、模塊、組件及應用的全套自主技術。其中，公司生產的全系列高可靠性IGBT產品打破了軌道交通核心器件和特高壓輸電工程關鍵器件由國外企業(yè)壟斷的局面，目前正在解決我國新能源汽車核心器件自主化問題。
公告披露，本項目實施后將形成面向新能源汽車、軌道交通方向的SiC芯片量產生產線，并進一步研發(fā)高性能的新產品，可以進一步推進中車時代半導體工藝技術進步，提升產業(yè)化水平，實現國家第三代半導體關鍵芯片自主化，提升國際競爭力，保障第三代半導體產業(yè)的可持續(xù)發(fā)展具有重要意義。
下游需求高景氣市場空間廣闊
賽迪顧問高級分析師楊俊剛分析認為，SiC市場的增長主要來源于市場需求的增加，由于其帶隙較寬、擊穿場強、熱導率強，目前主要應用于電源、新能源汽車、電機驅動、光伏和儲能等領域。隨著雙碳經濟、新基建等國家戰(zhàn)略的實施，SiC的使用量將進一步提升，一些產品將從硅基變成SiC。
2019年中國SiC、GaN電力電子器件應用市場中，消費電源是第一大應用，占比28%，工業(yè)及商業(yè)電源次之，占比 26%，新能源汽車排第三，占比11%。
未來隨著SiC、GaN產品的成本下降，性價比優(yōu)勢開始凸顯，將會有更多的應用場景。特別是新能源汽車快速發(fā)展，SiC 迎來發(fā)展良機。SiC 應用于新能源車，可以降低 損耗、減小模塊體積重量、提升續(xù)航能力。
相關數據預測，到2025 年全球新能源汽車有望達到1100萬輛，中國占50%。新能源汽車需要新增大量的功率半導體，48V 輕混需要增加90美元以上，電動或者混動需要增加330美元以上，如果采用 SiC 器件，則單車價值量增加更多。因此，隨著成本下降和技術的逐步成熟，SiC 在新能源車中具有較大的應用空間。
原有產線的良好基礎將奠定項目成功達產
事實上，時代電氣早在“十三五”期間，就建成了碳化硅芯片線，從目前來看，這不僅僅解決了公司在碳化硅技術領域從無到有的突破，更為此次升級改造奠定了良好的根基。
比如，公司由此擁有了良好的技術基礎，公司在碳化硅器件領域已申請多項發(fā)明專利及發(fā)表多篇論文，完成了第一代技術產品的開發(fā)和技術積累，已形成成熟的SiC芯片產品“設計-制造-測試-模塊”完整能力，公司SiC產品在地鐵、新能源汽車、光伏等市場領域均已實現應用示范。
公司已全面掌握平面柵（DMOS+）技術、溝槽柵 (TMOS) 技術和精細溝槽（RTMOS）技術。公司建有6英寸雙極器件、8英寸IGBT和6英寸碳化硅的產業(yè)化基地，擁有芯片、模塊、組件及應用的全套自主技術，除雙極器件和IGBT器件在輸配電、軌道交通、新能源等領域得到廣泛應用外，公司的“高性能SiC SBD、MOSFET電力電子器件產品研制與應用驗證”項目已通過科技成果鑒定，實現了高性能SiC SBD五個代表品種和SiC MOSFET三個代表品種，部分產品已得到應用。
可以說，公司擁有的完善項目建設體系是項目成功的重要保障。公司有過多條產業(yè)化半導體生產線的建設經驗，技術團隊具備豐富的項目組織經驗與能力，擁有健全的項目實施機構，完備的項目管理制度，完善的資金控制體系，可完全勝任本項目的建設。
整體來看，伴隨6英寸SiC晶片制造技術的成熟，其相關產品質量和穩(wěn)定性逐漸提高，帶動國外下游器件制造廠商對SiC晶片的采購需求逐漸由4英寸向6英寸轉化， 6英寸碳化硅的主流趨勢明顯。
此次時代電氣提升碳化硅芯片生產線技術能力較好的順應了行業(yè)發(fā)展大勢，既可以較好的滿足下游新能源、光伏以及儲能的爆發(fā)式需求，極大的增厚公司業(yè)績，又可以提升國家第三代半導體關鍵芯片自主化，加速推動國產替代。
