據(jù)項(xiàng)目負(fù)責(zé)人、徐州致能半導(dǎo)體總經(jīng)理黎子蘭介紹，燦科半導(dǎo)體功率器件項(xiàng)目將新上線一條氮化鎵共封裝器件生產(chǎn)線，可把氮化鎵功率芯片與硅驅(qū)動(dòng)芯片、硅MOS芯片等不同功能的芯片封裝在一起，形成氮化鎵芯片共封裝器件，能有效降低氮化鎵芯片與其它芯片之間傳統(tǒng)PCB板連接導(dǎo)致的延時(shí)較長(zhǎng)、寄生電感較大、干擾嚴(yán)重等問(wèn)題，發(fā)揮氮化鎵芯片的高頻優(yōu)勢(shì)，也能助推企業(yè)在電子信息產(chǎn)業(yè)依靠科技創(chuàng)新?lián)屨际袌?chǎng)新藍(lán)海。