近日，徐州致能半導體有限公司（以下簡稱“徐州致能半導體”）燦科半導體功率器件項目將新上線一條氮化鎵共封裝器件生產線。該項目建成并實現量產后，可年產氮化鎵共封裝器件2億顆、氮化鎵晶圓6萬片，年產值可達到12億元。
報道顯示，去年11月，燦科半導體功率器件項目簽約落地徐州高新區(qū)電子信息產業(yè)園內，由廣東致能科技有限公司投資建設，總投資5.5億元。該項目在今年1月開工建設，3月潔凈廠房建成并投入使用，目前已開始試生產。
據項目負責人、徐州致能半導體總經理黎子蘭介紹，燦科半導體功率器件項目將新上線一條氮化鎵共封裝器件生產線，可把氮化鎵功率芯片與硅驅動芯片、硅MOS芯片等不同功能的芯片封裝在一起，形成氮化鎵芯片共封裝器件，能有效降低氮化鎵芯片與其它芯片之間傳統(tǒng)PCB板連接導致的延時較長、寄生電感較大、干擾嚴重等問題，發(fā)揮氮化鎵芯片的高頻優(yōu)勢，也能助推企業(yè)在電子信息產業(yè)依靠科技創(chuàng)新搶占市場新藍海。
