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SiC器件年產(chǎn)能200萬只!青銅劍第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地項目主體開建

日期:2021-07-07 來源:半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)閱讀:370
核心提示:7月5日,基本半導(dǎo)體青銅劍第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地項目有了新進(jìn)展目前,該項目已完成基坑建設(shè),施工方開始建設(shè)主體。據(jù)介紹,2021年
近日,基本半導(dǎo)體&“青銅劍第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地項目已完成基坑建設(shè),施工方開始建設(shè)主體。
 
據(jù)介紹,2021年1月18日,該項目完成奠基儀式,項目總投資3.5億元,占地8073.79平方米,總建筑面積近5萬平方米,預(yù)計2022年底完工。
 
據(jù)《深圳特區(qū)報》報道,該項目被列入深圳市2021年重大項目清單,是深圳加快第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的布局。該基地將作為青銅劍科技集團(tuán)總部,同時建設(shè)第三代半導(dǎo)體研發(fā)中心、車規(guī)級碳化硅功率器件封裝線和中歐創(chuàng)新中心孵化器等,最終形成國內(nèi)領(lǐng)先的具備全產(chǎn)業(yè)鏈研發(fā)和生產(chǎn)制造能力的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地。項目預(yù)計2023年4月建成投產(chǎn),屆時碳化硅器件年產(chǎn)能將達(dá)200萬只。
 
據(jù)基本半導(dǎo)體介紹,其車規(guī)級碳化硅模塊在2019年第四季度開始上車測試。2019年,其650V二極管通過車規(guī)認(rèn)證,1200V碳化硅MOSFET進(jìn)入小批量的量產(chǎn)階段。據(jù)基本半導(dǎo)體總經(jīng)理和巍巍透露,他們和眾多行業(yè)標(biāo)桿企業(yè)進(jìn)行合作。
 
2021年3月,基本半導(dǎo)體還獲得博世集團(tuán)旗下羅伯特·博世創(chuàng)業(yè)投資公司的戰(zhàn)略投資。此前還完成多輪融資,投資方包括聞泰科技、中車時代高新投資等。
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