6月5日，英諾賽科（蘇州）半導體有限公司（以下簡稱“英諾賽科”）在江蘇汾湖高新區(qū)舉行8英寸硅基氮化鎵芯片量產儀式。由此，英諾賽科成為世界上第一家實現(xiàn)8英寸硅基氮化鎵（GaN）量產的企業(yè)。

 

上海市政府副秘書長、市發(fā)改委主任、長三角一體化示范區(qū)執(zhí)委會主任華源，英諾賽科董事長駱薇薇，蘇州市人大常委會副主任沈國芳，吳江區(qū)委書記李銘，國家集成電路產業(yè)投資基金股份有限公司總裁丁文武，第三代半導體產業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟理事長吳玲，長三角一體化示范區(qū)執(zhí)委會副主任、江蘇省發(fā)展改革委員會副主任唐曉東，蘇州市工業(yè)和信息化局局長萬利，英諾賽科總經理孫在亨，吳江區(qū)委常委、汾湖高新區(qū)黨工委書記、管委會主任張炳高，吳江區(qū)委常委、副區(qū)長錢宇，韓國SK集團大中華區(qū)總裁吳作義，招銀國際首席投資官王紅波等嘉賓共同開啟量產儀式，伴隨著禮炮齊鳴、禮花綻放，英諾賽科跨入發(fā)展新階段。

量產儀式
 

量產代表著企業(yè)邁上了高速行駛的快車道，研發(fā)則是企業(yè)前行的基礎。與量產儀式一同舉行的還有“8英寸硅基氮化鎵芯片生產線一期第一階段產能擴展建設項目”簽約儀式，以及研發(fā)樓奠基儀式。憑借雄厚的科研實力及先進的技術水平，英諾賽科被國家四部委(發(fā)改委、工信部、財政部、海關總署)列入重點支持的0.25微米以下的集成電路企業(yè)，是國內第一個通過國家發(fā)改委窗口指導的第三代半導體項目；同時，作為蘇州市獨角獸培育企業(yè)，英諾賽科承擔了多個國家部委及省相關部門的重點研發(fā)項目，研發(fā)樓的奠基，預示著未來將有更多創(chuàng)新成果在此誕生。

奠基儀式

簽約儀式

汾湖發(fā)布指出，英諾賽科一期項目正式開啟大規(guī)模量產，預計2021年實現(xiàn)產能可達6000片/月。項目全部達產后預計將實現(xiàn)年產能78萬片8英寸硅基氮化鎵晶圓。建成后將成為世界一流的集研發(fā)、設計、外延生產、芯片制造、分裝測試等于一體的第三代半導體全產業(yè)鏈研發(fā)生產平臺。
 

英諾賽科總經理孫在亨指出，半導體硅材料在經過70多年的開發(fā)后，已經接近其材料極限，而氮化鎵則具備未來產業(yè)發(fā)展所需的特性。在過去兩年中，基于氮化鎵的市場應用取得了很多突破，開始在消費電子、工業(yè)、汽車等市場全方位地滲透，尤其在快充、激光雷達、手機、5G、新能源汽車、無線充電和數(shù)據中心等領域發(fā)揮出巨大的潛能。“我毫不懷疑基于氮化鎵的應用將是半導體未來十年增長最快的領域。”孫在亨強調，“隨著英諾賽科蘇州工廠的成功量產，我們已經做好了全面準備去迎接氮化鎵時代的到來。”

 

國家集成電路產業(yè)投資基金股份有限公司總裁丁文武表示，英諾賽科量產暨研發(fā)樓奠基，是中國在化合物半導體領域的重要里程碑。“我國化合物半導體產業(yè)正處于逐漸發(fā)展的階段，需要產業(yè)鏈和社會各方的支持和協(xié)作，尤其在當前復雜的國際形勢背景下，國內半導體產業(yè)在前所未有的市場機遇下更是面臨嚴峻的發(fā)展形勢，國內企業(yè)包括英諾賽科在內如何在這樣的挑戰(zhàn)下如何實現(xiàn)更好的發(fā)展是值得思考的問題。”丁文武表示，“英諾賽科在氮化鎵領域取得了不俗的成績，公司今后應不斷創(chuàng)新組織、全心部署將化合物半導體做得更好，不僅為當?shù)亟洕l(fā)展做出貢獻，也為國家氮化鎵產業(yè)乃至化合物半導體產業(yè)發(fā)展做出新的更大的貢獻。”

第三代半導體產業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟理事長吳玲表示，中國對碳達峰、碳中和的鄭重承諾，建立以新能源為主體的新型電力系統(tǒng)使第三代半導體釋放出巨大市場潛力和強大發(fā)展動力。“英諾賽科8英寸硅基氮化鎵的量產走在了世界的前列，但是國家化合物半導體，特別是第三代半導體的發(fā)展路途還很漫長，在功率半導體包括碳化硅、襯底等未來顛覆性技術與國際的差距仍然很大，研發(fā)體系和產業(yè)生態(tài)都有很大的問題。”吳玲強調，“十四五規(guī)劃明確提出了集成電路、碳化硅、氮化鎵等重點發(fā)展領域，也希望英諾賽科在將來發(fā)揮龍頭作用帶動產業(yè)發(fā)展，為人類綠色低碳可持續(xù)發(fā)展和未來美好生活貢獻力量。”

 

招銀國際首席投資官王紅波表示，作為全球首條規(guī)模量產的氮化鎵IDM生產線，英諾賽科以其里程碑的突破改變和引領了全球第三大半導體的發(fā)展，相信氮化鎵的意義和價值會在未來不斷地被發(fā)掘。“作為英諾賽科最早的投資人，招銀國際從‘一張PPT’就開始投資，對于一個管理千億級規(guī)模的投資人而言，我們的價值不在于精明的累積財富，而在于把資源配置給最優(yōu)秀的企業(yè)家，然后和他們一起改變世界。”王紅波指出，“今天的成功量產是值得我們驕傲的時刻，同時也要感謝在對英諾賽科的投資過程中給與大力支持的政府以及產業(yè)上下游的合作伙伴。第三代半導體產業(yè)的發(fā)展才剛剛開始，需要所有產業(yè)所有的合作伙伴攜手開拓生態(tài)，共創(chuàng)未來。”

 

英諾賽科（蘇州）半導體有限公司成立于2017年10月，注冊資本27億元，是一家致力于第三代半導體硅基氮化鎵研發(fā)與產業(yè)化的高科技企業(yè)。公司采用IDM全產業(yè)鏈模式，集芯片設計、外延生長、芯片制造、測試與失效分析于一體，產品涵蓋30-900V功率半導體器件、IC及射頻RF器件，是全球唯一能夠同時量產低壓和高壓硅基氮化鎵芯片的公司。截止目前，公司員工超1000名，國內外核心專利申請超500項。

英諾賽科于2018年在汾湖高新區(qū)奠基，2019年主體廠房封頂，2020年設備搬入。目前，英諾賽科被國家四部委列入重點支持的0. 25微米以下的集成電路企業(yè)，是國內第一個通過國家發(fā)改委窗口指導的第三代半導體項目。同時，作為蘇州市獨角獸培育企業(yè)，英諾賽科承擔了多個國家部委及省相關部門的重點研發(fā)項目。