10月11日，在北京市市場監(jiān)督管理局主辦的“在京全國標委會與北京市重點產(chǎn)業(yè)企業(yè)對接會成果發(fā)布暨第56屆世界標準日主題活動”上，在成果發(fā)布環(huán)節(jié)，第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟發(fā)布的T/CASAS 046—2024《碳化硅金屬氧化物半導體場效應晶體管（SiC MOSFET）動態(tài)反偏(DRB)試驗方法》團體標準，被評為2025年度高質(zhì)量團體標準。
該標準創(chuàng)新性突出，體現(xiàn)了碳化硅金屬氧化物半導體場效應晶體管動態(tài)反偏試驗方法在半導體集成電路領域的應用，提出了高頻高壓應用工況下，漏源電壓高dV/dt可靠性評價方法，彌補了標準空白領域，為產(chǎn)業(yè)提供了科學、合理的測試評估解決方案，有效支撐第三代半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，具有顯著的社會效益和經(jīng)濟效益。
