10月11日，在北京市市場(chǎng)監(jiān)督管理局主辦的“在京全國(guó)標(biāo)委會(huì)與北京市重點(diǎn)產(chǎn)業(yè)企業(yè)對(duì)接會(huì)成果發(fā)布暨第56屆世界標(biāo)準(zhǔn)日主題活動(dòng)”上，在成果發(fā)布環(huán)節(jié)，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟發(fā)布的T/CASAS 046—2024《碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（SiC MOSFET）動(dòng)態(tài)反偏(DRB)試驗(yàn)方法》團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)，被評(píng)為2025年度高質(zhì)量團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)。
該標(biāo)準(zhǔn)創(chuàng)新性突出，體現(xiàn)了碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管動(dòng)態(tài)反偏試驗(yàn)方法在半導(dǎo)體集成電路領(lǐng)域的應(yīng)用，提出了高頻高壓應(yīng)用工況下，漏源電壓高dV/dt可靠性評(píng)價(jià)方法，彌補(bǔ)了標(biāo)準(zhǔn)空白領(lǐng)域，為產(chǎn)業(yè)提供了科學(xué)、合理的測(cè)試評(píng)估解決方案，有效支撐第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，具有顯著的社會(huì)效益和經(jīng)濟(jì)效益。
