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高溫、高功率寬帶隙半導(dǎo)體要求掌握碳化硅（SiC）等材料的晶體生長(zhǎng)過(guò)程。今天，SiC是通過(guò)氣相或液相法生長(zhǎng)的，它包括下列過(guò)程：反應(yīng)物的生成、反應(yīng)物到生長(zhǎng)表面的傳輸、生長(zhǎng)表面的吸附、成核和最終晶體生長(zhǎng)。GT Advanced Technologies首席技術(shù)官P.S. RAGHAVAN分享了《碳化硅襯底技術(shù)的最新進(jìn)展》技術(shù)報(bào)告，報(bào)告中介紹了不同的SiC晶體生長(zhǎng)過(guò)程以及SiC技術(shù)的最新進(jìn)展。

【極智報(bào)告】南京大學(xué)陳琳：6英寸GaN襯底生長(zhǎng)用HVPE反應(yīng)腔的三維數(shù)值模擬

GaN基的LED在大功率照明方面的巨大潛力吸引了很多研究者的注意。西安交通大學(xué)田震寰博士帶來(lái)了激光打孔和雙襯底轉(zhuǎn)移技術(shù)制備金字

垂直氮化鎵器件，尤其是硅襯底上，因其低成本襯底而引起了人們對(duì)大功率應(yīng)用的廣泛關(guān)注。但其性能仍低于氮化鎵襯底上的垂直氮化鎵器件。關(guān)鍵問(wèn)題是在硅襯底上實(shí)現(xiàn)低位錯(cuò)密度和連續(xù)厚氮化鎵層具有挑戰(zhàn)性。會(huì)上，北京大學(xué)馮玉霞博士結(jié)合具體的研究實(shí)踐，分享了Si襯底上GaN基外延材料生長(zhǎng)及雜質(zhì)缺陷研究的成果，首次提供了在C摻雜半絕緣氮化鎵中取代C原子占據(jù)N位點(diǎn)的明確證據(jù)。

奧趨光電技術(shù)（杭州）有限公司首席執(zhí)行官吳亮分享《高功率UVC-LED用AlN單晶襯底生長(zhǎng)最新進(jìn)展及其未來(lái)挑戰(zhàn)》。

【極智課堂】晶能光電王瓊： 硅襯底UV LED技術(shù)與應(yīng)用

挪威科學(xué)技術(shù)大學(xué)教授，挪威科學(xué)技術(shù)院院士Helge WEMAN帶來(lái)了題為采用石墨烯襯底和透明底部電極的AlGaN納米線外延 UV LED的主題

視頻簡(jiǎn)介：下一代半導(dǎo)體器件外延制備前期的襯底清理技術(shù) In-situ Wafer Cleaning for Pre-Epitaxial Deposition for Next Generation Semiconductor DevicesIsmail I. KASHKOUSH美國(guó)NAURA-Akrion, Inc.首席技術(shù)官 Ismail I. KASHKOUSHChief Technology Officer (CTO) of NAURA-Akrion, Inc., USA

碳化硅生長(zhǎng)和襯底建模以及基于MOVPE技術(shù)的氮化鎵生長(zhǎng)模擬 Modeling of SiC crystal growth and epitaxy and simulation of GaN metal Organic Vapor DepositionAndrey SMIRNOV俄羅斯STR Group, Inc.資深研發(fā)工程師 Andrey SMIRNOVSenior Research Engineer of STR Group, Inc., Russia

同步輻射X射線衍射法實(shí)現(xiàn)氮化鎵襯底及同質(zhì)外延薄膜晶格面傾斜可視化 Synchrotron x-ray diffraction-based visualization of lattice-plane tilting of a GaN substrate and epitaxial film坂田修身日本國(guó)立材料研究所SPring-8 BL15XU線站站長(zhǎng)，東京工業(yè)大學(xué)兼職教授 Osami SAKATAStation Director of the Synchrotron X-ray Station at SPring-8 and the Group Leaders of the Synchrotron X-ray group and the Synchrotron X-ray

奧趨光電吳亮：高功率UVC-LED用AlN單晶襯底生長(zhǎng)最新進(jìn)展及其未來(lái)挑戰(zhàn)

乾照光電目前是國(guó)內(nèi)比較領(lǐng)先的紅光制造商，來(lái)自乾照光電股份有限公司技術(shù)副總監(jiān)陳凱軒分享了“藍(lán)寶石襯底AlGaInP紅光LED外延和芯片制作工藝”報(bào)告。他首先介紹了藍(lán)寶石襯底AlGaInP紅光LED外延和芯片制作工藝。 此外他表示，目前主流的會(huì)議室或者是戶外主流使用的顯示技術(shù)是LED、DLP、LCD三種，這三種顯示技術(shù)LED是主動(dòng)式的發(fā)光，相對(duì)于另外兩種被動(dòng)式的發(fā)光，它的對(duì)比度，還有它顯示效果要更加的優(yōu)異，現(xiàn)在基本上在戶內(nèi)、戶外的顯示都是逐步被LED取代。另外一個(gè)很重要的區(qū)別，DLP、LCD的拼接模塊

北京大學(xué)教授陳志忠介紹了基于納米圖案藍(lán)寶石襯底通過(guò)MOCVD生長(zhǎng)藍(lán)綠色LED。陳志忠表示，GaN基青光LED通過(guò)低壓金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積（MOCVD）生長(zhǎng)得到。首先在成核層上進(jìn)行兩步法高溫生長(zhǎng)GaN模板，接著在模板上生長(zhǎng)青光LED，波長(zhǎng)為490nm。通......請(qǐng)您在WIFI條件下觀看！或下載極智APP收藏反復(fù)觀看！