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瞻芯電子第3代1200V 35mΩ SiC MOSFET量產(chǎn)交付應(yīng)用，贏得市場(chǎng)認(rèn)可

羅姆碳化硅 MOSFET 裸芯片獲豐田 bZ5 電動(dòng)汽車牽引逆變器應(yīng)用

Wolfspeed推出新型頂部散熱（TSC）碳化硅MOSFET和肖特基二極管，優(yōu)化熱管理并節(jié)約能耗

Wolfspeed 1700V MOSFET技術(shù)，助力重塑輔助電源系統(tǒng)的耐用性和成本

標(biāo)準(zhǔn) | 《半橋拓?fù)渲蠸iC MOSFET開關(guān)損耗準(zhǔn)確評(píng)估測(cè)試方法》立項(xiàng)

標(biāo)準(zhǔn) | 《三電平SiC MOSFET功率模塊開關(guān)動(dòng)態(tài)特性測(cè)試方法》立項(xiàng)

瞻芯電子與浙江大學(xué)聯(lián)合發(fā)表10kV SiC MOSFET研發(fā)成果，助力高壓應(yīng)用技術(shù)革新

標(biāo)準(zhǔn) |華峰測(cè)控牽頭的3項(xiàng)SiC MOSFET UIS/單管短路/模塊短路測(cè)試方法形成征求意見稿

CSPSD 2025前瞻|東南大學(xué)魏家行：碳化硅功率MOSFET關(guān)鍵技術(shù)新進(jìn)展

CSPSD 2025前瞻|復(fù)旦大學(xué)劉盼：1200V IGBT與SiC MOSFET的短路性能對(duì)比研究

CSPSD 2025前瞻|北京智慧能源研究院陳中圓：基于正向壓降表征的碳化硅MOSFET結(jié)溫測(cè)量方法研究

CSPSD 2025前瞻|山東大學(xué)劉超：1.5 kV全垂直GaN-on-Si功率MOSFET

CSPSD 2025前瞻|南京第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心有限公司李士顏:新一代SiC功率MOSFET產(chǎn)品研制進(jìn)展

基本半導(dǎo)體推出新一代碳化硅MOSFET

CSPSD 2025前瞻|廣東工業(yè)大學(xué)周賢達(dá)：功率MOSFET的非嵌位感性開關(guān)

標(biāo)準(zhǔn) |華峰測(cè)控牽頭的3項(xiàng)SiC MOSFET UIS/單管短路/模塊短路測(cè)試方法形成征求意見稿

清純半導(dǎo)體推出第3代SiC MOSFET產(chǎn)品平臺(tái)

瑤芯微申請(qǐng)溝槽型MOSFET器件結(jié)構(gòu)及其制備方法專利，降低器件動(dòng)態(tài)損耗

標(biāo)準(zhǔn) | SiC MOSFET 有功對(duì)拖/雜感/AC-溫濕度循環(huán)試驗(yàn)方法立項(xiàng)

標(biāo)準(zhǔn) | SiC MOSFET晶圓級(jí)老化及篩選試驗(yàn)方法立項(xiàng)

標(biāo)準(zhǔn) | SiC MOSFET模塊局部放電試驗(yàn)方法立項(xiàng)

芯聯(lián)集成：公司SiC MOSFET系列工藝平臺(tái)方面實(shí)現(xiàn)了650V到2000V系列的全面布局

芯粵能半導(dǎo)體成功開發(fā)第一代碳化硅溝槽MOSFET工藝平臺(tái)

蘇州創(chuàng)芯致尚取得一種SIC MOSFET芯片生產(chǎn)用切割裝置專利，提高切割穩(wěn)定性和精準(zhǔn)度

江蘇芯旺電子科技取得MOSFET器件用制造加工裝置專利，提高加工效率

報(bào)告前瞻|湖南三安半導(dǎo)體許志維：SiC MOSFET器件技術(shù)之發(fā)展與挑戰(zhàn)

Wolfspeed 推出全新第 4 代 MOSFET 技術(shù)平臺(tái)

清純半導(dǎo)體SiC MOSFET年度銷售額首次突破億元

萬國(guó)半導(dǎo)體申請(qǐng)用于功率 MOSFET 的凹陷型多晶硅 ESD 二極管專利，保護(hù)功率晶體管免受高電壓 ESD 事件影響

基于新型SiC復(fù)合襯底的低成本MOSFET取得重要進(jìn)展

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