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標準 | 《半導體晶片激光刻字深度的測定白光干涉法》立項

標準 |《碳化硅晶片制造用各向同性多孔石墨》立項

標準 | 《氮化鎵高電子遷移率晶體管閾值電壓測試　脈沖電壓法》立項

兩項碳化硅標準，立項！

標準 | 《半橋拓撲中SiC MOSFET開關(guān)損耗準確評估測試方法》立項

標準 | 《三電平SiC MOSFET功率模塊開關(guān)動態(tài)特性測試方法》立項

標準 | SiC MOSFET 有功對拖/雜感/AC-溫濕度循環(huán)試驗方法立項

標準 | SiC MOSFET晶圓級老化及篩選試驗方法立項

標準 | SiC MOSFET模塊局部放電試驗方法立項

CASA與CSA共同立項《面向光治療的柔性LED光源拉伸彎曲可靠性試驗方法》等2項標準

CASA立項《HEMT功率器件用硅襯底氮化鎵外延片》1項團體標準

上海：啟動寬禁帶與超寬禁帶半導體材料等11家重點實驗室籌建立項

上海：啟動“上海市寬禁帶與超寬禁帶半導體材料重點實驗室”等11家重點實驗室籌建立項

先導激光氮化鎵藍光裝備全鏈條國產(chǎn)化項目順利立項

CASA立項“半導體材料紫外光電子能譜測試方法”等2項團體標準

CASA立項“氮化鋁晶片位錯密度檢測方法腐蝕坑密度測量法”等2項氮化鋁團體標準

500萬華芯半導體VCSEL芯片的研發(fā)項目獲批立項

華芯半導體VCSEL芯片研發(fā)項目獲批立項

CASA立項GaN HEMT非鉗位感性負載開關(guān)魯棒性測試方法1項團體標準

CASA立項SiC MOSFET動態(tài)/穩(wěn)態(tài)高溫工作壽命試驗方法2項團體標準

博眾精工：半導體創(chuàng)新聯(lián)合體被納入指令性立項項目清單旨在構(gòu)建國內(nèi)半導體2.5D/3D封裝設(shè)備關(guān)鍵平臺

CASA與CSA共同立項團體標準《面向光治療的柔性LED光源拉伸度測試方法》

智信科技2024年立項34項科技項目，涵蓋SiC模塊技術(shù)

CASA立項《碳化硅單晶生長用等靜壓石墨》標準

年產(chǎn)70萬片6-8英寸碳化單晶襯底項目通過立項審批

CASA立項11項SiC MOSFET測試類團體標準

江蘇省計量院一項助力半導體研發(fā)的科研項目獲批立項

蘇州公示前沿技術(shù)研究和科技成果轉(zhuǎn)化擬立項項目，20+IC項目入選

聞泰科技、重慶大學聯(lián)合提案的SiC MOSFET開關(guān)動態(tài)測試標準提案立項

清單來了！2023年度車規(guī)級芯片科技攻關(guān)“揭榜掛帥”榜單任務(wù)擬立項項目正在公示

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