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ST官宣！推出第四代 STPOWER 碳化硅 (SiC) MOSFET 技術(shù)

8英寸碳化硅襯底重慶三安項(xiàng)目已實(shí)現(xiàn)襯底廠點(diǎn)亮通線

天岳先進(jìn)董事長(zhǎng)：第三代半導(dǎo)體需求推動(dòng)碳化硅材料快速發(fā)展

EPC Power 攜手 Wolfspeed，以碳化硅打造可靠的模塊化電網(wǎng)級(jí)儲(chǔ)能方案

芯導(dǎo)科技申請(qǐng)一種 T 型溝槽柵碳化硅 MOSFET 器件結(jié)構(gòu)及其制備方法專利，提高了柵極可靠性

揚(yáng)杰科技申請(qǐng)“一種提高可靠性能力的碳化硅二極管及其制備方法”專利，提高器件的高壓 H3TRB 的可靠性

新一代半導(dǎo)體碳化硅上游核心材料與工藝產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目落戶

印度首個(gè)碳化硅半導(dǎo)體工廠正式開(kāi)工總投資62億盧比

英諾激光：公司已實(shí)現(xiàn)批量供應(yīng)碳化硅退火制程的激光器

Wolfspeed推出2300V碳化硅功率模塊，助力清潔能源產(chǎn)業(yè)提升

Wolfspeed推出創(chuàng)新碳化硅模塊以提高清潔能源產(chǎn)能

萃錦半導(dǎo)體籌建碳化硅MOSFET項(xiàng)目月產(chǎn)增至3000片

中國(guó)電科48所8英寸碳化硅外延設(shè)備獲升級(jí)

三義激光首批碳化硅激光設(shè)備正式交付

揚(yáng)杰科技申請(qǐng)一種改善雙極退化的碳化硅 MOSFET 器件及制備方法的專利

我國(guó)首次突破溝槽型碳化硅MOSFET芯片制造技術(shù)

上海漢虹8英寸碳化硅晶體成功出爐

Facebook開(kāi)發(fā)的首款增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)AR眼鏡采用碳化硅材料，開(kāi)拓元宇宙領(lǐng)域的新藍(lán)海市場(chǎng)

重慶三安8英寸碳化硅襯底廠月底投產(chǎn)

露笑科技碳化硅項(xiàng)目延期

瀚天天成“一種降低碳化硅外延片生長(zhǎng)缺陷的方法及碳化硅襯底”專利獲授權(quán)

Wolfspeed考慮關(guān)閉6英寸碳化硅晶圓廠

芯華睿半導(dǎo)體車(chē)規(guī)級(jí)碳化硅及硅基功率模塊（IGBT/SiC）項(xiàng)目量產(chǎn)

河北博威集成電路取得集成 SBD 的碳化硅 MOSFET 器件及其制備方法專利

碳化硅襯底龍頭天岳先進(jìn)披露中報(bào)：營(yíng)收凈利大幅增長(zhǎng)，持續(xù)領(lǐng)跑碳化硅行業(yè)

重慶兩江欣暉硅及碳化硅部件項(xiàng)目投產(chǎn)

普興電子6英寸低密度缺陷碳化硅外延片產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目環(huán)評(píng)第二次公示

河北同光半導(dǎo)體取得超高真空碳化硅原料合成爐系統(tǒng)專利

中宜創(chuàng)芯碳化硅粉體項(xiàng)目獲批，年產(chǎn)1000噸！

天科合達(dá)擴(kuò)產(chǎn)6/8英寸碳化硅襯底

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