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2025云南晶體大會前瞻|廣東工業(yè)大學(xué)張紫輝：GaN功率半導(dǎo)體器件仿真建模與制備研究

2025云南晶體大會前瞻|中電科第四十八研究所謝添樂：寬禁帶化合物半導(dǎo)體外延關(guān)鍵裝備解決方案

2025云南晶體大會前瞻|北京大學(xué)王嘉銘：III族氮化物AlGaN基紫外發(fā)光器件結(jié)構(gòu)堆垛研究

2025云南晶體大會前瞻|昆明云鍺李寶學(xué)：大尺寸紅外鍺單晶的研究進展

2025云南晶體大會前瞻|云南師范大學(xué)郭杰：鍺硫?qū)倩衔颎e-VIA（GeS/GeSe/GeTe）二維材料的電子結(jié)構(gòu)和光學(xué)特性研究

SiC 新型功率 MOS 器件結(jié)構(gòu)以及柵驅(qū)動電路的設(shè)計與研究

2025云南晶體大會前瞻|浙江大學(xué)杭州國際科創(chuàng)中心韓學(xué)峰：PVT法生長4H-SiC晶體的缺陷形成與摻雜機理研究

2025云南晶體大會前瞻|西安電子科技大學(xué)寧靜：超寬禁帶半導(dǎo)體范德華異質(zhì)結(jié)構(gòu)及器件研究

2025云南晶體大會前瞻|云南大學(xué)王茺：GaSb基異質(zhì)薄膜的磁控濺射生長機理及其光電探測性能研究

2025云南晶體大會前瞻|云南大學(xué)邱鋒：晶體本征缺陷的理論研究及晶片表面非故意缺陷的性能調(diào)控

2025云南晶體大會前瞻|南京大學(xué)修向前：氮化鎵襯底生長工藝及設(shè)備技術(shù)研究

深圳大學(xué)寬禁帶半導(dǎo)體功率器件劉新科研究員團隊：通過PEALD-GaO?界面工程實現(xiàn)高性能垂直氮化鎵MOS電容器

廈門大學(xué)&廈門市未來顯示技術(shù)研究院團隊基于氮化物表面電子態(tài)演化開發(fā)出Micro LED側(cè)壁鈍化新方法

2025云南晶體大會前瞻|中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所楊曉光：硅基III-V族材料外延及異質(zhì)集成研究進展

2025云南晶體大會前瞻| 昆明理工大學(xué)鄧家云:磷化銦晶圓力學(xué)性能與加工性能研究

2025云南晶體大會前瞻| 中國電子信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展研究院解楠：氮化鋁寬禁帶材料發(fā)展現(xiàn)狀及技術(shù)演進趨勢研究

北京大學(xué)電子學(xué)院魏賢龍課題組在二維氮化硼的介電強度研究中取得重要進展

中國科學(xué)院微電子所在芯粒集成電遷移EDA工具研究方向取得重要進展

中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所銻化物感應(yīng)耦合等離子體（ICP）刻蝕系統(tǒng)采購項目延期公告

華芯晶電獲批合物半導(dǎo)體單晶襯底制備技術(shù)山東省工程研究中心

中國科學(xué)院氮化鎵基無源太赫茲相控陣機制研究獲進展

2025年新增批次海外優(yōu)青：中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所誠邀您申報

科研成果 | 唐寧、沈波團隊與合作者利用深紫外光譜在原子級薄超寬禁帶半導(dǎo)體能帶結(jié)構(gòu)研究方面取得重要進展

蘇州納米所秦華團隊在氮化鎵基無源太赫茲相控陣機制研究方面取得進展

氮化鎵外延層中位錯輔助的電子和空穴傳輸研究取得進展

中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所特別研究助理（博士后）招聘啟事

長春光機所聯(lián)合東方理工大學(xué)研究團隊在寬禁帶氮化物載流子動力學(xué)研究方面取得重要進展

中國科學(xué)院微電子研究所在EUV光刻收集鏡紅外輻射抑制方面取得新進展

北京大學(xué)王新強、王平、王濤團隊在纖鋅礦氮化物鐵電半導(dǎo)體研究上取得重要進展

中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所在低維半導(dǎo)體偏振光探測方面取得系列進展

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