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CASA標(biāo)準(zhǔn)SiC MOSFET閾值電壓測試方法征求意見

聞泰科技、重慶大學(xué)聯(lián)合提案的SiC MOSFET開關(guān)動態(tài)測試標(biāo)準(zhǔn)提案立項

CASA正式發(fā)布《8英寸碳化硅襯底片基準(zhǔn)標(biāo)記及尺寸》等3項團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)

武威天祝金強工業(yè)集中區(qū)管理委員會甘肅省碳化硅工業(yè)大氣污染物排放標(biāo)準(zhǔn)制定采購項目公開招標(biāo)公告

電科芯片牽頭制定的硅基半導(dǎo)體模擬集成電路標(biāo)準(zhǔn)正式發(fā)布

全國集成電路標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會成立大會舉行全面實施《國家標(biāo)準(zhǔn)化發(fā)展綱要》

華為：在移動通信、短距通信等多個主流標(biāo)準(zhǔn)專利領(lǐng)域居于領(lǐng)先地位

重要！工信部發(fā)布《國家汽車芯片標(biāo)準(zhǔn)體系建設(shè)指南（2023版）》（征求意見稿）

國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會印發(fā)《2023年全國標(biāo)準(zhǔn)化工作要點》加強新興技術(shù)領(lǐng)域標(biāo)準(zhǔn)研制

國家汽車芯片標(biāo)準(zhǔn)體系建設(shè)指南（征求意見稿）發(fā)布 2030年將制定70項以上汽車芯片相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)

標(biāo)準(zhǔn)/山東大學(xué)牽頭起草的T/CASAS 025—202X《8英寸碳化硅晶片基準(zhǔn)標(biāo)記及尺寸》等3項團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)征求意見

標(biāo)準(zhǔn) | 《Sub-6GHz GaN 射頻產(chǎn)品可靠性篩選和驗收方法》等5項團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)形成征求意見稿

能訊半導(dǎo)體榮獲“BSI標(biāo)準(zhǔn)先鋒獎”

全國政協(xié)委員鄧中翰：后摩爾時代，加快構(gòu)建推動高質(zhì)量發(fā)展的標(biāo)準(zhǔn)體系

中國標(biāo)準(zhǔn)化研究院蔡建奇：基于眼生理參數(shù)時間周期特性的視覺舒適度研究

三星公布標(biāo)準(zhǔn)化 5G NTN 技術(shù)：可用于智能手機(jī)與衛(wèi)星的直接通信

碳化硅器件“上車”：應(yīng)用熱點是電驅(qū)，標(biāo)準(zhǔn)尚待統(tǒng)一

國星光電參與制定國家標(biāo)準(zhǔn) 將于2023年7月1日正式實施

IFWS 第三代半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)與檢測研討會邀請函

首次提出并主導(dǎo)！我國在半導(dǎo)體國際標(biāo)準(zhǔn)制定方面再獲突破

中國電科產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)研究院發(fā)布兩項半導(dǎo)體國際標(biāo)準(zhǔn)

中國電科發(fā)布兩項半導(dǎo)體國際標(biāo)準(zhǔn)

標(biāo)準(zhǔn) | CASA立項《射頻GaN HEMT結(jié)構(gòu)的遷移率非接觸霍爾測量方法》等5項團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)

CASA立項《碳化硅少數(shù)載流子壽命測定微波光電導(dǎo)法》等2項團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)

深圳智芯微電子牽頭起草的《三相智能電表用氮化鎵場效應(yīng)晶體管通用技術(shù)規(guī)范》團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)已形成委員會草案

《人工光植物工廠紫外LED光照系統(tǒng) 一般技術(shù)要求》團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)正式發(fā)布

國星光電參與制定4項行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)正式發(fā)布

河北淶源經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)標(biāo)準(zhǔn)化科創(chuàng)園項目、年產(chǎn)10萬片碳化硅單晶襯底標(biāo)準(zhǔn)廠房項目一期全過程審計服務(wù)公開招標(biāo)公告

《硅襯底藍(lán)光小功率發(fā)光二極管芯片詳細(xì)規(guī)范》等四項硅襯底LED行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)正式發(fā)布

問卷 | SiC MOSFET開關(guān)測試標(biāo)準(zhǔn)預(yù)研問卷

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