由山東大學(xué)、廣州南砂晶圓半導(dǎo)體技術(shù)有限公司、瀚天天成電子科技(廈門)有限公司、杭州海乾半導(dǎo)體有限公司、中電化合物半導(dǎo)體有限公司、泰科天潤半導(dǎo)體科技(北京)有限公司聯(lián)合提出的《碳化硅少數(shù)載流子壽命測定 微波光電導(dǎo)法》和《碳化硅晶片表面金屬元素含量的測定電感耦合等離子體質(zhì)譜法》團體標準提案，經(jīng)CASAS管理委員會投票獲得通過，2022年11月21日正式立項，并分配標準編號：T/CASAS 026、T/CASAS 032。

秘書處將向CASAS正式成員發(fā)出征集起草單位的通知，組建標準起草小組，請CASAS正式成員關(guān)注秘書處郵件（casas@casa-china.cn）。T/CASAS 026—20XX《碳化硅少數(shù)載流子壽命測定 微波光電導(dǎo)法》規(guī)定了用微波光電導(dǎo)法測定碳化硅少數(shù)載流子壽命的方法。標準適用于4~12 英寸碳化硅襯底片和碳化硅外延片。同時也適用于少數(shù)載流子壽命為20 ns~1 ms 的碳化硅晶片。

T/CASAS 032—20XX《碳化硅晶片表面金屬元素含量的測定電感耦合等離子體質(zhì)譜法》規(guī)定了電感耦合等離子體質(zhì)譜法測定碳化硅晶片表面金屬元素含量的方法。該標準適用于碳化硅單晶拋光片和碳化硅外延片表面痕量金屬鈉、鋁、鉀、鈣、鈧、鈦、釩、鉻、錳、鐵、鈷、鎳、銅、鋅、銀、鎢、金、汞元素含量的測定，測定范圍為108 cm-2~1012 cm-2。適用于4~8 英寸碳化硅晶片，甚至更大尺寸的晶片。同時也適用于碳化硅退火片等無圖形碳化硅晶片表面痕量金屬元素含量的測定。

(來源：第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)戰(zhàn)略聯(lián)盟)