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惠科自研OLED模組成功點(diǎn)亮

華海清科首臺(tái)12英寸低溫離子注入機(jī)成功出機(jī)

星遙光宇宣布成功完成Pre-A輪融資

深圳平湖實(shí)驗(yàn)室成功制備國(guó)內(nèi)首個(gè)氮化鋁/富鋁鎵氮高電子遷移率晶體管

國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃“氧化鎵單片功率電子集成器件研究”項(xiàng)目啟動(dòng)會(huì)暨實(shí)施方案論證會(huì)成功召開(kāi)

新突破！我國(guó)成功研發(fā)蚊子大小仿生機(jī)器人

國(guó)產(chǎn)突破！無(wú)錫先為科技首臺(tái)GaN MOCVD外延設(shè)備成功發(fā)貨

投資5.5億元縱慧芯光FabX成功實(shí)現(xiàn)項(xiàng)目通線

芯聚能自主碳化硅主驅(qū)芯片成功搭載整車(chē)，樹(shù)立國(guó)產(chǎn)車(chē)規(guī)功率半導(dǎo)體新標(biāo)桿！

中科海芯RISC-V芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目成功簽約

新突破︱鎵仁半導(dǎo)體成功制備VB法100毫米(010)面氧化鎵單晶襯底

JBD成功將MicroLED單屏壞點(diǎn)數(shù)降至≤3

中微公司成功舉辦2024年度暨2025年第一季度業(yè)績(jī)說(shuō)明會(huì)

北京大學(xué)團(tuán)隊(duì)成功研制無(wú)閾值電壓負(fù)漂650V/10A增強(qiáng)型GaN器件

寧德時(shí)代成功登陸港交所，首日市值沖上1.34萬(wàn)億港元

合肥6寸砷化鎵晶圓設(shè)備成功搬入！

2025車(chē)用功率半導(dǎo)體應(yīng)用技術(shù)培訓(xùn)會(huì)在廣州南沙成功舉辦

山東大學(xué)/晶鎵半導(dǎo)體成功研發(fā)4英寸高質(zhì)量GaN單晶襯底

星芯向榮，與創(chuàng)新者同行：2025星閃技術(shù)應(yīng)用巡回研討會(huì)—深圳站成功舉辦

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4000+人次！“2025半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢(shì)大會(huì)”成功舉辦！

佛山清溢光電首臺(tái)主設(shè)備成功搬入

聯(lián)合微電子中心研發(fā)硅光集成光纖陀螺芯片成功下線

超高壓碳化硅大功率芯片項(xiàng)目成功簽約！

芯粵能半導(dǎo)體成功開(kāi)發(fā)第一代碳化硅溝槽MOSFET工藝平臺(tái)

實(shí)現(xiàn)技術(shù)突破！我國(guó)成功研制出這一光子芯片

浙江一半導(dǎo)體項(xiàng)目，首臺(tái)光刻機(jī)成功搬入

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總投資10億！德華芯片成功摘地增資擴(kuò)產(chǎn)

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