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西電郝躍院士、西安交大周磊簜團(tuán)隊(duì)與晟光硅研楊森協(xié)同攻關(guān)丨低溫超臨界流體處理在退化β相氧化鎵基二極管中恢復(fù)與增強(qiáng)電學(xué)性能的應(yīng)用

IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|電子科技大學(xué)鄧小川：高壓碳化硅MOSFET器件性能提升技術(shù)的發(fā)展及其挑戰(zhàn)

上海光機(jī)所在硼硅、硼鎢共摻金剛石的制備與性能研究方面取得新進(jìn)展

成本直降98%！微合金化復(fù)合焊片：媲美燒結(jié)銀性能的功率半導(dǎo)體封裝新技術(shù)

IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|名古屋大學(xué)王嘉：通過鎂插層增強(qiáng)氮化鎵中的P型摻雜、接觸性能和器件性能

IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)楊樹：GaN功率電子器件動(dòng)態(tài)性能提升與抗輻照加固技術(shù)

IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|瑞士洛桑聯(lián)邦理工學(xué)院Elison Matioli：邁向高性能GaN功率器件-新興解決方案和創(chuàng)新

IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|名古屋大學(xué)特聘教授Tohru Oka：基于SPICE模擬的垂直GaN MOSFET性能預(yù)測和損耗分析

能訊持續(xù)升級(jí)高性能氮化鎵工藝平臺(tái)，助推產(chǎn)學(xué)研融通創(chuàng)新

南科大深港微電子學(xué)院高源團(tuán)隊(duì)在高性能電源管理芯片領(lǐng)域取得重要研究成果

2025云南晶體大會(huì)前瞻|云南大學(xué)王茺：GaSb基異質(zhì)薄膜的磁控濺射生長機(jī)理及其光電探測性能研究

2025云南晶體大會(huì)前瞻|云南大學(xué)邱鋒：晶體本征缺陷的理論研究及晶片表面非故意缺陷的性能調(diào)控

深圳大學(xué)寬禁帶半導(dǎo)體功率器件劉新科研究員團(tuán)隊(duì)：通過PEALD-GaO?界面工程實(shí)現(xiàn)高性能垂直氮化鎵MOS電容器

2025云南晶體大會(huì)前瞻| 昆明理工大學(xué)鄧家云:磷化銦晶圓力學(xué)性能與加工性能研究

碳化硅功率器件的性能與應(yīng)用前景-國晶微半導(dǎo)體

北京大學(xué)許福軍、沈波團(tuán)隊(duì)成功實(shí)現(xiàn)高性能中波紫外發(fā)光器件制備

陜西電子芯業(yè)時(shí)代8英寸高性能特色工藝半導(dǎo)體生產(chǎn)線計(jì)劃9月份通線試生產(chǎn)

中國科學(xué)家首創(chuàng)“蒸籠”方法“長出”高性能晶體管新材料

深圳平湖實(shí)驗(yàn)室在SiC激光剝離技術(shù)領(lǐng)域取得新進(jìn)展，性能指標(biāo)達(dá)到國際先進(jìn)水平

CHIPX首片6寸薄膜鈮酸鋰光子芯片晶圓下線，110GHz帶寬高性能薄膜鈮酸鋰調(diào)制器芯片實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)

富加鎵業(yè)氧化鎵MOCVD同質(zhì)外延片性能再創(chuàng)新高

艾邁斯歐司朗進(jìn)一步優(yōu)化紅外激光產(chǎn)品，樹立3D傳感性能標(biāo)桿

CSPSD 2025前瞻|復(fù)旦大學(xué)劉盼：1200V IGBT與SiC MOSFET的短路性能對比研究

CSPSD 2025前瞻|西安電子科技大學(xué)宋慶文：高性能SiC功率器件關(guān)鍵技術(shù)研究進(jìn)展

CSPSD 2025前瞻|江南大學(xué)黃偉：高性能宇航級(jí)SGT功率器件與輻照模型研究

國家工程研究中心最新突破：磁控濺射AlN覆蓋層提升p-GaN HEMT器件性能

英飛凌科技申請功率半導(dǎo)體器件相關(guān)專利，提升功率半導(dǎo)體器件性能

中芯國際申請半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法專利，提高半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的電學(xué)性能

投資5億元，世拓新材料高性能光學(xué)和集成電路高分子材料項(xiàng)目簽約落戶張家港

華北電力大學(xué)壓接型IGBT功率循環(huán)及性能測試試驗(yàn)平臺(tái)采購項(xiàng)目公開招標(biāo)公告

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