无码人妻AV网站|99热只有在线观看|成人开心激情四射|国产亚洲天堂日韩|丰满五十路熟妇无码|97视频国产|久艹视频免费在线|午夜福利国产在线|亚洲高清欧美中字|国产人妻系列

首頁 > 新聞資訊 > 搜索

陜西電子芯業(yè)時(shí)代8英寸高性能特色工藝半導(dǎo)體生產(chǎn)線計(jì)劃9月份通線試生產(chǎn)

中國科學(xué)家首創(chuàng)“蒸籠”方法“長出”高性能晶體管新材料

深圳平湖實(shí)驗(yàn)室在SiC激光剝離技術(shù)領(lǐng)域取得新進(jìn)展，性能指標(biāo)達(dá)到國際先進(jìn)水平

CHIPX首片6寸薄膜鈮酸鋰光子芯片晶圓下線，110GHz帶寬高性能薄膜鈮酸鋰調(diào)制器芯片實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)

富加鎵業(yè)氧化鎵MOCVD同質(zhì)外延片性能再創(chuàng)新高

艾邁斯歐司朗進(jìn)一步優(yōu)化紅外激光產(chǎn)品，樹立3D傳感性能標(biāo)桿

CSPSD 2025前瞻|復(fù)旦大學(xué)劉盼：1200V IGBT與SiC MOSFET的短路性能對(duì)比研究

CSPSD 2025前瞻|西安電子科技大學(xué)宋慶文：高性能SiC功率器件關(guān)鍵技術(shù)研究進(jìn)展

CSPSD 2025前瞻|江南大學(xué)黃偉：高性能宇航級(jí)SGT功率器件與輻照模型研究

國家工程研究中心最新突破：磁控濺射AlN覆蓋層提升p-GaN HEMT器件性能

英飛凌科技申請(qǐng)功率半導(dǎo)體器件相關(guān)專利，提升功率半導(dǎo)體器件性能

中芯國際申請(qǐng)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法專利，提高半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的電學(xué)性能

投資5億元，世拓新材料高性能光學(xué)和集成電路高分子材料項(xiàng)目簽約落戶張家港

華北電力大學(xué)壓接型IGBT功率循環(huán)及性能測試試驗(yàn)平臺(tái)采購項(xiàng)目公開招標(biāo)公告

總投資2億元！江蘇長光時(shí)空高性能激光芯片項(xiàng)目投產(chǎn)

蘭州大學(xué)研究團(tuán)隊(duì)在日盲光電探測器件方面突破“RS困境” 實(shí)現(xiàn)高性能光電探測

Wolfspeed第4代碳化硅技術(shù)：重新定義高功率應(yīng)用的性能和耐久性

納維達(dá)斯半導(dǎo)體申請(qǐng) GaN 半橋電路等專利，提升電路性能

Science：AI驅(qū)動(dòng)閉環(huán)設(shè)計(jì)，加速高性能有機(jī)半導(dǎo)體材料發(fā)現(xiàn)

博睿光電梁超：功率器件封裝用高性能氮化鋁陶瓷基板及金屬化技術(shù) | IFWS&SSLCHINA2024

廣東巨風(fēng)半導(dǎo)體取得IGBT模塊專利，提高模塊性能

聯(lián)合微電子中心取得一種半導(dǎo)體器件專利，提升半導(dǎo)體器件性能

飛锃半導(dǎo)體申請(qǐng)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法專利，提高器件性能和可靠性

合肥晶合集成電路申請(qǐng)一種半導(dǎo)體器件的制作方法專利，能夠提高半導(dǎo)體器件的性能

廣東氣派科技申請(qǐng) MOSFET 的封裝結(jié)構(gòu)專利，采用封裝結(jié)構(gòu)得到的 MOSFET 散熱性能佳

總投資310億元，星柯先進(jìn)光電顯示產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目高性能載板一號(hào)廠房主體封頂

北京大學(xué)深圳研究生院在高性能低維柔性電子集成方向取得重要進(jìn)展

左藍(lán)微電子高性能5G射頻濾波器項(xiàng)目啟動(dòng)

上海壁仞科技取得封裝結(jié)構(gòu)專利，提高散熱性能

揚(yáng)杰科技申請(qǐng)“一種提高可靠性能力的碳化硅二極管及其制備方法”專利，提高器件的高壓 H3TRB 的可靠性

第1頁/共8頁首頁下一頁上一頁尾頁

聯(lián)系客服投訴反饋頂部