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西電蕪湖研究院寬禁帶半導(dǎo)體器件試制線成功通線

國(guó)家自然科學(xué)基金“十四五”發(fā)展規(guī)劃發(fā)布含寬禁帶半導(dǎo)體等115項(xiàng)優(yōu)先發(fā)展領(lǐng)域

第三代寬禁帶半導(dǎo)體功率模塊技術(shù)及系統(tǒng)集成聯(lián)合工程中心簽約東莞

IFWS：超寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件技術(shù)最新進(jìn)展

美國(guó)工程院院士Fred C. LEE：寬禁帶半導(dǎo)體會(huì)給電力電子行業(yè)帶來(lái)怎樣的變革？

華潤(rùn)微電子將積極謀劃8英寸寬禁帶半導(dǎo)體布局

IFWS 2022前瞻：超寬禁帶及其他新型半導(dǎo)體材料與器件技術(shù)分會(huì)日程公布

武漢大學(xué)袁超研究員：熱反射表征技術(shù)在寬禁帶半導(dǎo)體材料和器件領(lǐng)域的應(yīng)用進(jìn)展

新型超寬禁帶半導(dǎo)體材料廠商銘鎵半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)4英寸氧化鎵晶圓襯底技術(shù)突破

武漢大學(xué)課題組在寬禁帶半導(dǎo)體熱表征領(lǐng)域發(fā)表綜述文章

廈門(mén)大學(xué)寬禁帶半導(dǎo)體研究組在半導(dǎo)體能谷調(diào)控方面取得重要進(jìn)展

寬禁帶氧化鎵半導(dǎo)體在壓電與射頻器件中的應(yīng)用

深圳先進(jìn)連接牽頭起草的T/CASAS 023—202X《寬禁帶半導(dǎo)體封裝用燒結(jié)銀膏技術(shù)規(guī)范》征求意見(jiàn)

國(guó)內(nèi)寬禁帶半導(dǎo)體研究領(lǐng)域第一套系列科技專著《寬禁帶半導(dǎo)體前沿叢書(shū)》付梓發(fā)行

華微電子：積極布局以SiC和GaN為代表的寬禁帶半導(dǎo)體器件技術(shù)

西安交通大學(xué)研究團(tuán)隊(duì)超寬禁帶半導(dǎo)體材料研究領(lǐng)域取得重要進(jìn)展

上海出臺(tái)措施發(fā)展展壯大未來(lái)產(chǎn)業(yè)集群推動(dòng)碳化硅、氮化鎵等寬禁帶半導(dǎo)體化合物發(fā)展

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氮化物寬禁帶半導(dǎo)體企業(yè)中博芯宣布完成Pre-A輪融資

氮化物寬禁帶半導(dǎo)體材料廠商中博芯將亮相第十七屆全國(guó)MOCVD學(xué)術(shù)會(huì)議

廈門(mén)大學(xué)寬禁帶半導(dǎo)體研究組實(shí)現(xiàn)WS?/HOPG 摩爾超晶格的直接合成

西安交大云峰教授團(tuán)隊(duì)在超寬禁帶半導(dǎo)體材料研究領(lǐng)域取得重要進(jìn)展

南京大學(xué)團(tuán)隊(duì)在寬禁帶半導(dǎo)體EUV探測(cè)器領(lǐng)域取得新進(jìn)展

北京大學(xué)寬禁帶半導(dǎo)體研究中心電子材料與器件課題組博士后招聘啟事

芯粵能主體工程封頂！國(guó)內(nèi)首個(gè)寬禁帶半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈在穗完成布局

寬禁帶半導(dǎo)體GaN單晶襯底項(xiàng)目、Wi-Fi Halow芯片項(xiàng)目等重大項(xiàng)目落地蘇州高新區(qū)

廣州南沙：圍繞智能網(wǎng)聯(lián)新能源汽車(chē)，布局寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈

南科大深港微電子學(xué)院在寬禁帶半導(dǎo)體器件領(lǐng)域取得系列研究進(jìn)展

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超寬禁帶半導(dǎo)體：金剛石尚處研發(fā)待突破階段，不宜過(guò)度炒作！

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