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北京大學(xué)許福軍、沈波團(tuán)隊(duì)實(shí)現(xiàn)了接近體塊級(jí)質(zhì)量的III族氮化物異質(zhì)外延膜

揚(yáng)杰科技與東南大學(xué)簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議，共建寬禁帶功率器件技術(shù)聯(lián)合研發(fā)中心

揚(yáng)杰科技將與東南大學(xué)共建寬禁帶功率器件技術(shù)聯(lián)合研發(fā)中心

廈門大學(xué)張洪良團(tuán)隊(duì)在寬禁帶氧化鎵半導(dǎo)體摻雜電子結(jié)構(gòu)研究取得進(jìn)展

【CASICON 2023】中國電科第十三研究所蘆偉立：電力電子領(lǐng)域寬禁帶半導(dǎo)體外延技術(shù)進(jìn)展

復(fù)旦大學(xué)寧波研究院寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件研究所招賢納士！

寬禁帶半導(dǎo)體國家工程研究中心常州分中心揭牌

寬禁帶半導(dǎo)體國家工程研究中心常州分中心揭牌，龍城芯谷項(xiàng)目啟動(dòng)

合盛硅業(yè)：目前2萬片寬禁帶半導(dǎo)體碳化硅襯底及外延片產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)線項(xiàng)目已通過驗(yàn)收，實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)

西電蕪湖研究院寬禁帶半導(dǎo)體器件試制線成功通線

國家自然科學(xué)基金“十四五”發(fā)展規(guī)劃發(fā)布含寬禁帶半導(dǎo)體等115項(xiàng)優(yōu)先發(fā)展領(lǐng)域

第三代寬禁帶半導(dǎo)體功率模塊技術(shù)及系統(tǒng)集成聯(lián)合工程中心簽約東莞

IFWS：超寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件技術(shù)最新進(jìn)展

美國工程院院士Fred C. LEE：寬禁帶半導(dǎo)體會(huì)給電力電子行業(yè)帶來怎樣的變革？

華潤微電子將積極謀劃8英寸寬禁帶半導(dǎo)體布局

IFWS 2022前瞻：超寬禁帶及其他新型半導(dǎo)體材料與器件技術(shù)分會(huì)日程公布

武漢大學(xué)袁超研究員：熱反射表征技術(shù)在寬禁帶半導(dǎo)體材料和器件領(lǐng)域的應(yīng)用進(jìn)展

新型超寬禁帶半導(dǎo)體材料廠商銘鎵半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)4英寸氧化鎵晶圓襯底技術(shù)突破

武漢大學(xué)課題組在寬禁帶半導(dǎo)體熱表征領(lǐng)域發(fā)表綜述文章

廈門大學(xué)寬禁帶半導(dǎo)體研究組在半導(dǎo)體能谷調(diào)控方面取得重要進(jìn)展

寬禁帶氧化鎵半導(dǎo)體在壓電與射頻器件中的應(yīng)用

深圳先進(jìn)連接牽頭起草的T/CASAS 023—202X《寬禁帶半導(dǎo)體封裝用燒結(jié)銀膏技術(shù)規(guī)范》征求意見

國內(nèi)寬禁帶半導(dǎo)體研究領(lǐng)域第一套系列科技專著《寬禁帶半導(dǎo)體前沿叢書》付梓發(fā)行

華微電子：積極布局以SiC和GaN為代表的寬禁帶半導(dǎo)體器件技術(shù)

西安交通大學(xué)研究團(tuán)隊(duì)超寬禁帶半導(dǎo)體材料研究領(lǐng)域取得重要進(jìn)展

上海出臺(tái)措施發(fā)展展壯大未來產(chǎn)業(yè)集群推動(dòng)碳化硅、氮化鎵等寬禁帶半導(dǎo)體化合物發(fā)展

IFWS 2022前瞻：超寬禁帶及其他新型半導(dǎo)體材料與器件進(jìn)展

氮化物寬禁帶半導(dǎo)體企業(yè)中博芯宣布完成Pre-A輪融資

氮化物寬禁帶半導(dǎo)體材料廠商中博芯將亮相第十七屆全國MOCVD學(xué)術(shù)會(huì)議

廈門大學(xué)寬禁帶半導(dǎo)體研究組實(shí)現(xiàn)WS?/HOPG 摩爾超晶格的直接合成

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