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國內(nèi)寬禁帶半導體研究領域第一套系列科技專著《寬禁帶半導體前沿叢書》付梓發(fā)行

日期:2022-11-17 閱讀:239
核心提示:近期,由郝躍院士領銜總策劃,國內(nèi)寬禁帶半導體研究領域第一套系列科技專著,寬禁帶半導體前沿叢書由西電出版社出版發(fā)行。西電出

近期,由郝躍院士領銜總策劃,國內(nèi)寬禁帶半導體研究領域第一套系列科技專著,“寬禁帶半導體前沿叢書”由西電出版社出版發(fā)行。西電出版社依托學校優(yōu)勢學科地位,充分發(fā)揮戰(zhàn)略科學家影響力,積極面向國家科技發(fā)展戰(zhàn)略方向和需求,組織策劃、出版高水平學術專著,彰顯學??傮w實力,助力國家科技攻關,是出版社服務學校“雙一流”建設的核心工作。

該叢書籌劃三年來,在郝躍院士的積極籌劃下,依托微電子優(yōu)勢學科地位,邀請鄭有炓院士、劉明院士、江風益院士及北京大學、南京大學、中國科技大學、中山大學、西安電子科技大學、山東大學、中科院微電子研究所、中科院半導體研究所、中科院蘇州納米技術研究所等十余所高校、研究所近40位中青年微電子專家組成強大編委會。經(jīng)西電出版社積極申報,成功入選2021年國家出版基金項目。

據(jù)了解,該叢書以服務國家重大戰(zhàn)略和學科發(fā)展需求為宗旨,致力于瞄準寬禁帶半導體基礎前沿與核心科學技術問題,從半導體材料的表征、機制、應用和器件的制備等多個方面,全面系統(tǒng)地介紹了寬禁帶半導體領域的前沿理論、核心技術及最新研究進展,具有科學性、創(chuàng)新性和前瞻性,市場需求迫切,是全國寬禁帶半導體研究領域系列的首套科技專著。

該叢書由12部專著組成,力求每一部闡釋一個專題,通俗易懂、圖文并茂、文獻豐富,包括《氮化鎵基半導體異質(zhì)結構及二維電子氣》《氮化物半導體準范德華外延及應用》《氮化鎵單晶材料生長與應用》《氮化鋁單晶材料生長與應用》《氮化物半導體太赫茲器件》《氧化鎵半導體器件》《寬禁帶半導體紫外光電探測器》《寬禁帶半導體核輻射探測器》《寬禁帶半導體氧化鎵—-結構、制備與性能》《金剛石半導體器件前沿技術》《寬禁帶半導體微結構與光電器件光學表征》《氮化鎵微波功率器件》等著作。另外,為了生動反映彩色插圖的原貌,這套系列叢書采用了黑白插圖加二維碼彩圖的方式,將全書的圖文質(zhì)量生動展現(xiàn)給讀者。

該叢書的出版,既是寬禁帶半導體領域最新研究成果的集中展示,也為從事寬禁帶半導體材料和器件研發(fā)的科技工作者在相關方向的研究提供了新思路、新方法的集中體現(xiàn),對提升“中國芯”的自主創(chuàng)新和加快半導體產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展將起到重要的推動作用。

該叢書出版以來,相繼被中國科學報(網(wǎng))、中國新聞出版廣電(網(wǎng))報、科技日報(網(wǎng))等國家級媒體報道,充分肯定了該叢書在寬禁帶半導體領域所作出的貢獻。

(來源:西電新聞網(wǎng))

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