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CSPSD2025 | 近30位專家學(xué)者齊聚探討氮化鎵及超寬禁帶功率器件新未來！

綜述與述評 | 趙璐冰，吳玲：超寬禁帶半導(dǎo)體材料發(fā)展現(xiàn)狀與展望

寧波材料所在超寬禁帶半導(dǎo)體基日盲紫外探測領(lǐng)域取得系列進(jìn)展

超寬禁帶半導(dǎo)體相關(guān)設(shè)備采購公開招標(biāo)公告

核能安全所在超寬禁帶材料半導(dǎo)體輻射探測器研制方面取得新進(jìn)展

全球首條超寬禁帶半導(dǎo)體高頻濾波芯片生產(chǎn)線將在上杭誕生

上海：啟動寬禁帶與超寬禁帶半導(dǎo)體材料等11家重點實驗室籌建立項

上海：啟動“上海市寬禁帶與超寬禁帶半導(dǎo)體材料重點實驗室”等11家重點實驗室籌建立項

超寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)進(jìn)展（二）|IFWS&SSLCHINA2024

超寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)進(jìn)展（一）|IFWS&SSLCHINA2024

福建晶旭半導(dǎo)體項目二期：將建成全球首條超寬禁帶半導(dǎo)體高頻濾波芯片生產(chǎn)線

張道華院士：超寬禁帶半導(dǎo)體氧化鎵和氮化鋁特性研究

IFWS2024：超寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)分會日程出爐

CASICON晶體大會平行論壇2：追蹤氮化鎵、超寬禁帶晶體及其應(yīng)用進(jìn)展

武漢大學(xué)袁超課題組在超寬禁帶氧化鎵熱輸運(yùn)領(lǐng)域最新研究進(jìn)展

IFWS 2023前瞻│超寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)分會日程出爐

電子科技大學(xué)羅小蓉課題組在超寬禁帶半導(dǎo)體氧化鎵功率器件領(lǐng)域取得研究進(jìn)展

IFWS：超寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件技術(shù)最新進(jìn)展

IFWS 2022前瞻：超寬禁帶及其他新型半導(dǎo)體材料與器件技術(shù)分會日程公布

新型超寬禁帶半導(dǎo)體材料廠商銘鎵半導(dǎo)體實現(xiàn)4英寸氧化鎵晶圓襯底技術(shù)突破

西安交通大學(xué)研究團(tuán)隊超寬禁帶半導(dǎo)體材料研究領(lǐng)域取得重要進(jìn)展

IFWS 2022前瞻：超寬禁帶及其他新型半導(dǎo)體材料與器件進(jìn)展

西安交大云峰教授團(tuán)隊在超寬禁帶半導(dǎo)體材料研究領(lǐng)域取得重要進(jìn)展

超寬禁帶半導(dǎo)體：金剛石尚處研發(fā)待突破階段，不宜過度炒作！

西電周弘教授：超寬禁帶半導(dǎo)體材料氧化鎵器件最新研究進(jìn)展

IFWS& SSLCHINA 2021：超寬禁帶半導(dǎo)體材料最新進(jìn)展

IFWS& SSLCHINA 2021前瞻：超寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)論壇最新日程出爐

奧趨光電正式批量量產(chǎn)新一代超寬禁帶半導(dǎo)體高端材料—— 高質(zhì)量氮化鋁單晶襯底系列產(chǎn)品

科研人員提出超寬禁帶半導(dǎo)體材料AlN位錯抑制新方法

IFWS2020：超寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)分會舉行

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