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禾臣新材料G8.6代光掩膜基板鍍膜設(shè)備正式搬入

中國科學(xué)院蘇州納米所陸書龍團隊在氮化鎵基單片集成器件領(lǐng)域取得進展

總投資超5億元！賽英電子功率半導(dǎo)體模塊散熱基板項目正式開工

牛津儀器 | 硅基芯片研發(fā)加速器：物性測量與顯微表征一站式服務(wù)

1200V全垂直硅基氮化鎵MOSFET

中國科學(xué)院氮化鎵基無源太赫茲相控陣機制研究獲進展

羅姆第一財季營業(yè)利潤驟降84.6%，承認(rèn)中國SiC基板功能已達到頂級水平

廈門先進封裝測試產(chǎn)業(yè)化基地（一期）擴產(chǎn)項目進入竣工移交階段

總投資15億元成都士蘭汽車半導(dǎo)體封裝廠房二期項目正式奠基

安森美和舍弗勒擴大合作，推出基于EliteSiC的新型插電式混合動力汽車平臺

Wolfspeed參考設(shè)計：基于2300V模塊的200kW三相逆變器

蘇州納米所秦華團隊在氮化鎵基無源太赫茲相控陣機制研究方面取得進展

沉痛悼念！中國繼電保護學(xué)科奠基人之一、顧毓琇電機工程獎獲得者葛耀中教授仙逝

廣東致能：全球首發(fā)硅基垂直 GaN HEMT 功率器件技術(shù)

標(biāo)準(zhǔn) | “基于感性負(fù)載的SiC 功率模塊老化篩選試驗方法”形成委員會草案

總投資約30億！第四代半導(dǎo)體MPCVD金剛石材料及高端晶圓生產(chǎn)基地項目正式動工

重慶奧松半導(dǎo)體特色芯片產(chǎn)業(yè)基地項目8英寸生產(chǎn)線首臺光刻機設(shè)備搬入！

通快光纖激光器生產(chǎn)基地擴產(chǎn)落成！

中科創(chuàng)星先導(dǎo)創(chuàng)業(yè)投資基金完成26.17億元首關(guān)

先導(dǎo)科技集團半導(dǎo)體高端裝備制造西南生產(chǎn)基地項目落地遂寧，投資106億！

江蘇設(shè)立100億元科創(chuàng)基金專注新材料等新興產(chǎn)業(yè)

基本半導(dǎo)體子公司注冊資本增至2.1億元將在深圳坪山建設(shè)車規(guī)級碳化硅模塊制造基地

安徽格恩半導(dǎo)體申請氮化鎵基半導(dǎo)體激光器元件專利，提升限制因子

總投資20億元，廈門路維光電有高世代高精度光掩膜項目奠基

Wolfspeed推出新型頂部散熱（TSC）碳化硅MOSFET和肖特基二極管，優(yōu)化熱管理并節(jié)約能耗

中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所獲批“北京國際科技合作基地”

新增！芯特思半導(dǎo)體總部及研發(fā)制造基地項目

上海將設(shè)立總規(guī)模500億元產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型升級二期基金

京東方玻璃基先進封裝項目工藝設(shè)備正式搬入

深圳平湖實驗室獲批設(shè)立“博士后創(chuàng)新實踐基地”

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