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中國首款高壓抗輻射碳化硅功率器件研制成功通過太空驗證

中國太空科技新突破！首款高壓抗輻射碳化硅功率器件研制成功并驗證

總投資10億元，芯瓷科技半導(dǎo)體功率器件用DPC陶瓷基板項目投產(chǎn)

英飛凌泰國功率模塊組裝廠已動工

英飛凌泰國功率模塊組裝新廠動工，計劃于2026年初投入運營

功率半導(dǎo)體龍頭終于“解除封印” ！

世界首個采用6.5kV功率器件的柔性直流工程成功投運

南京郵電大學(xué)研究團隊在用于低功率光通信的GaN/CuI異質(zhì)結(jié)構(gòu)紫外光伏探測器取得進展

功率半導(dǎo)體中低壓產(chǎn)品價格調(diào)漲，大廠產(chǎn)能滿載或?qū)⒀永m(xù)

昌龍智芯半導(dǎo)體功率器件項目投資超5億元

行業(yè)Top級廠商齊聚功率器件展區(qū)！CSE 2025等您來探！

功率半導(dǎo)體器件研發(fā)商中微創(chuàng)芯完成近億元Pre-B輪融資

北京大學(xué)團隊在GaN基功率電子器件研究上取得系列重要進展

北大集成電路學(xué)院研究團隊在GaN基功率電子器件研究上取得系列重要進展

萬國半導(dǎo)體申請用于功率 MOSFET 的凹陷型多晶硅 ESD 二極管專利，保護功率晶體管免受高電壓 ESD 事件影響

杭州芯邁半導(dǎo)體技術(shù)申請一種功率開關(guān)器件專利，提高了器件的功率密度

成都氮矽科技申請 N 面增強型 GaN 雙向功率器件專利，提高器件的抗輻照能力

總投資3億元，深矽微科技功率器件封裝生產(chǎn)基地項目首批設(shè)備正式進場

日本政府為電裝-富士電機聯(lián)合的SiC功率半導(dǎo)體計劃投資705億日元

南京大學(xué)在宇航用抗輻照GaN功率器件方面取得新進展

氮化鎵功率電子器件技術(shù)進展探討（三）?|IFWS&SSLCHINA2024

氮化鎵功率電子器件技術(shù)進展探討（二）|IFWS&SSLCHINA2024

氮化鎵功率電子器件技術(shù)進展探討（一） |IFWS&SSLCHINA2024

吳偉東：SiC功率MOSFET老化檢測智能柵極驅(qū)動器

嘉興斯達擬投15億元建設(shè)12英寸功率產(chǎn)線

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瑞能北京 9.26億元6英寸功率半導(dǎo)體擴建項目驗收

碳化硅功率器件及其封裝技術(shù)（二）|IFWS&SSLCHINA2024

碳化硅功率器件及其封裝技術(shù)發(fā)展探討（一）|IFWS&SSLCHINA2024

Victor Veliadis教授：加速碳化硅芯片和功率電子的商業(yè)化進程

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