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CSPSD 2025前瞻|西安理工大學(xué)賀小敏：氧化鎵異質(zhì)外延生長(zhǎng)及材料特性研究

德州儀器12英寸晶圓廠即將竣工投產(chǎn)，項(xiàng)目投資300億美元

合肥芯谷微電子砷化鎵晶圓制造線首臺(tái)設(shè)備搬入

一批高成長(zhǎng)性集成電路公司在光谷設(shè)立研發(fā)機(jī)構(gòu)及產(chǎn)線

200+MEMS全產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)，2萬(wàn)+精準(zhǔn)觀眾，10月齊聚蘇州！附展商名錄

滬硅產(chǎn)業(yè)披露重組草案，70.4億收購(gòu)三公司股權(quán)

兆易創(chuàng)新擬發(fā)行H股并在香港聯(lián)交所主板上市

總投資11億元，啟明芯半導(dǎo)體科技項(xiàng)目簽約！

效率損耗雙領(lǐng)跑！大族半導(dǎo)體SiC晶錠激光剝片技術(shù)單片15min單耗470μm！

博睿光電向重慶大學(xué)捐贈(zèng)設(shè)立“博睿光電獎(jiǎng)學(xué)金”

開(kāi)幕在即 | 2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會(huì)議（CSPSD 2025）5月22-24日南京見(jiàn)!

投資300億美元！德州儀器12英寸晶圓廠即將竣工投產(chǎn)

標(biāo)準(zhǔn) |“GaN HEMT DHTOL、功率器件用硅襯底GaN HEMT外延片”2項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)形成征求意見(jiàn)稿

標(biāo)準(zhǔn) |華峰測(cè)控牽頭的3項(xiàng)SiC MOSFET UIS/單管短路/模塊短路測(cè)試方法形成征求意見(jiàn)稿

標(biāo)準(zhǔn) | ALN位錯(cuò)密度/吸收系數(shù) 2項(xiàng)測(cè)試方法發(fā)布

順義第三代等先進(jìn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化廠房項(xiàng)目（二期）預(yù)計(jì)7月底完工

聯(lián)合光電擬購(gòu)長(zhǎng)益光電100%股權(quán)并停牌

寧德時(shí)代成功登陸港交所，首日市值沖上1.34萬(wàn)億港元

浙江12英寸CMOS二期項(xiàng)目建設(shè)迎新進(jìn)展

美國(guó)商務(wù)部調(diào)整芯片出口管制，中方回應(yīng)

太極實(shí)業(yè)擬出資7200萬(wàn)元參設(shè)投資基金，重點(diǎn)投向半導(dǎo)體等領(lǐng)域

CSPSD 2025前瞻|南京郵電大學(xué)陳靜：智能TCAD技術(shù)—AI賦能微納電子器件的仿真、建模與設(shè)計(jì)

合肥6寸砷化鎵晶圓設(shè)備成功搬入！

工業(yè)和信息化部等九部門(mén)印發(fā)《關(guān)于加快推進(jìn)科技服務(wù)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展的實(shí)施意見(jiàn)》

三安光電應(yīng)邀出席中法企業(yè)家座談會(huì)并發(fā)言

CSPSD 2025前瞻|上海大學(xué)任開(kāi)琳：E型GaN HEMT和pFET的穩(wěn)定性增強(qiáng)研究

中微半導(dǎo)：宇樹(shù)為公司客戶，車(chē)規(guī)MCU芯片訂單放量

2025車(chē)用功率半導(dǎo)體應(yīng)用技術(shù)培訓(xùn)會(huì)在廣州南沙成功舉辦

CSPSD 2025前瞻|東南大學(xué)魏家行：碳化硅功率MOSFET關(guān)鍵技術(shù)新進(jìn)展

揚(yáng)州晶新微6英寸芯片工廠5月量產(chǎn) 預(yù)計(jì)年產(chǎn)能達(dá)36萬(wàn)片

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