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安徽格恩半導(dǎo)體申請(qǐng)氮化鎵基化合物半導(dǎo)體激光器專利，提升遠(yuǎn)場(chǎng)圖像FFP質(zhì)量、光束質(zhì)量因子和激光相干性

中企競(jìng)標(biāo)收購比利時(shí)氮化鎵廠商BelGaN

新微半導(dǎo)體宣布推出650V E-mode氮化鎵功率工藝代工平臺(tái)

廣東芯賽威取得電源管理芯片及電路專利，可提高氮化鎵器件在電源應(yīng)用中的可靠性

賽微電子：公司已開展深圳產(chǎn)線建設(shè)，氮化鎵芯片仍處于工藝開發(fā)階段

CASICON重慶站：全面聚焦氮化鎵、氧化鎵、金剛石功率半導(dǎo)體技術(shù)及應(yīng)用發(fā)展

Navitas預(yù)計(jì)2025年人工智能和電動(dòng)汽車的氮化鎵需求增加

CASA立項(xiàng)《HEMT功率器件用硅襯底氮化鎵外延片》1項(xiàng)團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)

廈門市三安集成電路有限公司取得氮化鎵半導(dǎo)體器件專利，防水汽侵蝕能力較高

Navitas第四季度營收1800萬美元，氮化鎵收入創(chuàng)紀(jì)錄

一批半導(dǎo)體項(xiàng)目簽約衢州涉及氧化鎵、氮化鋁單晶襯底等

比利時(shí)氮化鎵制造商BelGaN破產(chǎn)，中國買家競(jìng)購設(shè)備資產(chǎn)

《異質(zhì)外延氮化鎵外延層厚度測(cè)試白光干涉法》CSA團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)第一次討論會(huì)召開

北京航天賽德申請(qǐng)氮化鎵襯底拋光液專利，極大提升氮化鎵襯底表面特性

南京集芯光電取得一種氮化鎵生長(zhǎng)加熱爐專利，解決氮化鎵采取和附著問題，提高產(chǎn)量

浙之芯申請(qǐng)一種氮化鎵傳感器及制備方法和裝置專利，大大提高氮化鎵傳感器的制備效率

氮化鎵功率電子器件技術(shù)進(jìn)展探討（三）?|IFWS&SSLCHINA2024

氮化鎵功率電子器件技術(shù)進(jìn)展探討（二）|IFWS&SSLCHINA2024

先導(dǎo)激光氮化鎵藍(lán)光裝備全鏈條國產(chǎn)化項(xiàng)目順利立項(xiàng)

氮化鎵功率電子器件技術(shù)進(jìn)展探討（一） |IFWS&SSLCHINA2024

張道華院士：超寬禁帶半導(dǎo)體氧化鎵和氮化鋁特性研究

氮化鎵龍頭英諾賽科，通過上市備案！

眾專家學(xué)者探討氮化鎵射頻電子器件與應(yīng)用的進(jìn)展與趨勢(shì) |IFWS&SSLCHINA2024

博睿光電梁超：功率器件封裝用高性能氮化鋁陶瓷基板及金屬化技術(shù) | IFWS&SSLCHINA2024

IFWS&SSLCHINA2024| 氮化物半導(dǎo)體固態(tài)紫外技術(shù)及應(yīng)用新動(dòng)向

CASA立項(xiàng)“氮化鋁晶片位錯(cuò)密度檢測(cè)方法腐蝕坑密度測(cè)量法”等2項(xiàng)氮化鋁團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)

北京大學(xué)沈波教授：基于大失配外延的氮化物第三代半導(dǎo)體材料與器件——IFWS&SSLCHINA2024

氮化鎵功率電子器件技術(shù)分會(huì)日程出爐|IFWS 2024前瞻

國星光電子公司風(fēng)華芯電成功開發(fā)出扇出型D-mode氮化鎵半橋模塊

IFWS2024：氮化物襯底、外延生長(zhǎng)及其相關(guān)設(shè)備技術(shù)分會(huì)日程出爐

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