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新突破|鎵仁半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)VB法4英寸氧化鎵單晶導(dǎo)電型摻雜

山東大學(xué)與南砂晶圓團(tuán)隊(duì)在8英寸SiC襯底位錯(cuò)缺陷控制方面取得重大突破

新突破！4英寸鑄造法氧化鎵單晶研制獲得成功

中國(guó)科學(xué)院物理研究所張廣宇課題組實(shí)現(xiàn)4英寸晶圓尺度均勻多層二硫化鉬連續(xù)薄膜可控逐層外延生長(zhǎng)

意法半導(dǎo)體宣布成功制造出200mm (8英寸)碳化硅晶圓

日本Novel Crystal宣布量產(chǎn)4英寸氧化鎵(Ga2O3) 晶圓

日本半導(dǎo)體的突破，2英寸氮化鎵單晶基板量產(chǎn)

好消息！在科研人員的不斷努力之下，碳化硅4英寸晶片實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)！

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