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GaN單晶襯底減薄新技術(shù)

中科院半導(dǎo)體所趙德剛團(tuán)隊(duì)研制出室溫連續(xù)功率2W的GaN基大功率紫外激光器

北京大學(xué)沈波、許福軍團(tuán)隊(duì)在高Al組分AlGaN的高效p型摻雜研究中獲重要進(jìn)展

向單芯片的GaN器件進(jìn)軍

世界上最大的超6英寸GaN籽晶問(wèn)世！

西電張進(jìn)成教授團(tuán)隊(duì)最新成果：基于p-SnO帽層?xùn)诺母唛撝翟鰪?qiáng)型AlGaN/GaN HEMTs

GaN 解決方案：小型封裝應(yīng)對(duì)大型雷達(dá)挑戰(zhàn)

33W GaN快充“殺”出江湖國(guó)內(nèi)氮化鎵IDM企業(yè)加速布局

GaN打破壁壘！RF功率放大器的帶寬越來(lái)越寬、功率越來(lái)越高

沖擊1億出貨量！小米、蘋(píng)果帶火的GaN快充芯片產(chǎn)業(yè)鏈，哪些公司在快速崛起

半導(dǎo)體材料中的法拉利：GaN沖向2021！

無(wú)懼高溫！日本研究開(kāi)發(fā)基于GaN的MEMS諧振器

在GaNVCSEL中實(shí)現(xiàn)單模工作

北京大學(xué)教授沈波：AlGaN基深紫外發(fā)光材料和器件技術(shù)進(jìn)展

InGaN μLED外部量子效率改進(jìn)最新研究成果有望消除高性能μLED發(fā)展瓶頸

軍民融合+進(jìn)口替代正當(dāng)時(shí)——世界領(lǐng)先的GaAs和GaN混合集成微波功率放大器量產(chǎn)

蘋(píng)果5Ｗ充電頭確定將走入歷史，GaN快充即將取而代之？

碳化硅基氮化鎵GaN-on-SiC助力降低5G基站成本

GaN世界國(guó)產(chǎn)模擬芯片突破！AC-DC電源頭部設(shè)計(jì)公司的技術(shù)創(chuàng)新之路！

臺(tái)灣交通大學(xué)激光60周年系列專(zhuān)文：介紹GaAs及GaN VCSEL

【極智課堂】汪煉成：先進(jìn)GaN基LED器件研究-從半導(dǎo)體照明到Micro-LED顯示和可見(jiàn)光通信

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