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連科半導(dǎo)體8吋/12吋SiC電阻爐及工藝成套技術(shù)取得突破

國家工程研究中心最新突破：磁控濺射AlN覆蓋層提升p-GaN HEMT器件性能

廈門大學(xué)-廈門市未來顯示技術(shù)研究院團隊在鈣鈦礦窄帶光電探測器研究中取得重要突破

中科院DUV光源新突破！

實現(xiàn)技術(shù)突破！我國成功研制出這一光子芯片

蘭州大學(xué)研究團隊在日盲光電探測器件方面突破“RS困境” 實現(xiàn)高性能光電探測

北京大學(xué)王劍威、龔旗煌課題組在連續(xù)變量光量子芯片領(lǐng)域取得重大突破

廈大團隊突破：量子點發(fā)光微球打造超高效明亮Micro-LEDs

中國太空科技新突破！首款高壓抗輻射碳化硅功率器件研制成功并驗證

寧波材料所與鄭州大學(xué)實現(xiàn)金剛石/氧化鎵異質(zhì)結(jié)器件突破

上海微系統(tǒng)所科研團隊在金剛石基氧化鎵異質(zhì)集成材料與器件領(lǐng)域取得突破性進展

哈爾濱工業(yè)大學(xué)在碳化硅集成光量子糾纏器件領(lǐng)域取得新突破

中欣晶圓12英寸BCD硅片產(chǎn)品取得技術(shù)突破

1萬伏！我國實現(xiàn)6英寸AlN單晶復(fù)合襯底和晶圓制造全流程突破

英飛凌推出全球最薄硅功率晶圓，突破技術(shù)極限并提高能效

至芯半導(dǎo)體取得重大突破，推出高光效UV器件

我國在太陽能電池領(lǐng)域取得新突破

電子科大國家工程技術(shù)研究中心在二維單相多鐵方向取得重大突破

北京大學(xué)電子學(xué)院陳景標(biāo)研究團隊在原子鐘領(lǐng)域取得重要突破

Nature | 康奈爾大學(xué)：光電功能器件最新突破

九峰山實驗室再次在硅光子集成領(lǐng)域取得突破性進展

中國科大在仿生光電神經(jīng)感知器件領(lǐng)域取得新突破

我國首次突破溝槽型碳化硅MOSFET芯片制造技術(shù)

國內(nèi)高校實現(xiàn)Micro LED技術(shù)突破，涉及深紫外、光通訊

我國科學(xué)家實現(xiàn)材料突破，可用于開發(fā)低功耗芯片

IMEC使用ASML最新High-NA EUV取得芯片制造突破

晶鉆科技同質(zhì)外延單晶金剛石新突破

西電在邏輯運算器件領(lǐng)域取得重要突破

積塔半導(dǎo)體BCD復(fù)合高壓隔離器平臺開發(fā)團隊：積沙成塔，用“芯”取得新突破

中國科學(xué)家在半導(dǎo)體領(lǐng)域獲突破登上《自然》雜志

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