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北方華創(chuàng)進(jìn)軍離子注入設(shè)備市場拓展半導(dǎo)體制造裝備版圖

【全球首發(fā)】8英寸氧化鎵晶圓襯底震撼問世｜杭州鎵仁邀您SEMICON見證半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)新突破

吉佳藍(lán)中國總部在無錫啟用，半導(dǎo)體刻蝕設(shè)備搶占更大市場

臻晶半導(dǎo)體自主研發(fā)液相法碳化硅電阻爐技術(shù)，全新解決方案引領(lǐng)行業(yè)潮流！

山東晶鎵申請一種紫外光催化輔助的氮化鎵晶圓拋光方法專利，提高了氮化鎵晶圓的拋光效率

國星光電：子公司風(fēng)華芯電氮化鎵器件實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)并開始接單

總額約為3億元！旭有機(jī)材中國增設(shè)新廠擴(kuò)充半導(dǎo)體電子材料產(chǎn)能

江蘇超芯星半導(dǎo)體申請一種 8 英寸碳化硅晶圓單面拋光方法專利，顯著降低生產(chǎn)成本

華大九天投資EDA初創(chuàng)公司九之星

EV集團(tuán)推出面向300毫米晶圓的下一代GEMINI?全自動生產(chǎn)晶圓鍵合系統(tǒng)，推動MEMS制造升級

安徽格恩半導(dǎo)體申請氮化鎵基化合物半導(dǎo)體激光器專利，提升遠(yuǎn)場圖像FFP質(zhì)量、光束質(zhì)量因子和激光相干性

上海光通信申請半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)相關(guān)專利，縮小半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)線寬提高器件密度

泰科天潤“一種高可靠平面柵碳化硅VDMOS及其制備方法”專利公布

納微為AI數(shù)據(jù)中心電源打造效率新標(biāo)桿超越80 PLUS紅寶石標(biāo)準(zhǔn)

中芯北方取得半導(dǎo)體器件及其形成方法專利

日本政府出售JDI全部股份，總投資虧損超1500億日元

安森美推出基于碳化硅的智能功率模塊以降低能耗和整體系統(tǒng)成本

中信證券：建議關(guān)注SiC器件領(lǐng)軍廠商以及襯底環(huán)節(jié)的本土龍頭

芯聯(lián)集成：公司SiC MOSFET系列工藝平臺方面實(shí)現(xiàn)了650V到2000V系列的全面布局

有研硅擬以5790萬元收購日企DGT 70%股權(quán)

華大九天擬購買芯和半導(dǎo)體控股權(quán)

意大利政府?dāng)M對意法半導(dǎo)體董事會動用否決權(quán)，將罷免公司CEO

芯粵能半導(dǎo)體成功開發(fā)第一代碳化硅溝槽MOSFET工藝平臺

英飛凌推出CoolSiC?肖特基二極管2000V的TO-247-2封裝，在提升效率的同時(shí)簡化設(shè)計(jì)

中企競標(biāo)收購比利時(shí)氮化鎵廠商BelGaN

歐冶半導(dǎo)體完成數(shù)億元B2輪融資，推動產(chǎn)品規(guī)模化應(yīng)用

保時(shí)捷汽車宣布計(jì)劃在未來幾年內(nèi)裁員數(shù)千人

三安光電：重慶8英寸碳化硅襯底目前周產(chǎn)能達(dá)500片/周

助力科技中國戰(zhàn)略！蓋澤參編的《埋層硅外延片》GB國家標(biāo)準(zhǔn)正式實(shí)施

重磅官宣丨東風(fēng)汽車集團(tuán)確認(rèn)參展2025CSE化合物半導(dǎo)體博覽會，精彩亮點(diǎn)搶先看！

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