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推薦企業(yè)動(dòng)態(tài)地方動(dòng)態(tài)政策規(guī)劃招標(biāo)采購(gòu)會(huì)議展覽項(xiàng)目動(dòng)態(tài)融資動(dòng)態(tài)

大眾擬關(guān)閉德國(guó)至少三家工廠，裁員數(shù)萬(wàn)人

揚(yáng)杰電子申請(qǐng)新型多級(jí)溝道SiC MOSFET元胞結(jié)構(gòu)與制造方法專利，方法制作工藝簡(jiǎn)單

合肥晶合集成電路申請(qǐng)一種半導(dǎo)體器件的制作方法專利，能夠提高半導(dǎo)體器件的性能

無(wú)錫博通申請(qǐng)半橋GaN增強(qiáng)型開關(guān)器件及其制備方法專利，保證器件的高速開關(guān)

投資33億美元豐田與NTT合作開發(fā)AI自動(dòng)駕駛技術(shù)

山東粵海金半導(dǎo)體取得專用碳化硅襯底Wafer倒角裝置專利，可實(shí)現(xiàn)自由設(shè)計(jì)倒角形狀

漢斯半導(dǎo)體取得一種 IGBT 模塊封裝外殼拋光裝置專利，拋光效率高

全球功率半導(dǎo)體龍頭聞泰科技：三季報(bào)強(qiáng)勢(shì)翻盤，盈利能力持續(xù)提升

榮耀“封裝芯片結(jié)構(gòu)及其加工方法、和電子設(shè)備”專利獲授權(quán)

深科達(dá)：擬收購(gòu)深科達(dá)半導(dǎo)體少數(shù)股東所持40%的股權(quán)

東芝計(jì)劃到2030年實(shí)現(xiàn)兩位數(shù)的電源芯片市場(chǎng)份額

蘇州敏芯微電子申請(qǐng)力傳感器的封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法專利，解決現(xiàn)有力傳感器力傳遞靈敏度低的問題

蘇州高視半導(dǎo)體申請(qǐng)基于晶圓檢測(cè)系統(tǒng)的晶圓檢測(cè)方法專利，降低晶圓缺陷的檢測(cè)成本

德州儀器擴(kuò)大氮化鎵半導(dǎo)體自有制造規(guī)模，產(chǎn)能提升至原來(lái)的四倍

中芯國(guó)際申請(qǐng)光刻機(jī)焦距監(jiān)控相關(guān)專利，實(shí)現(xiàn)在線焦距監(jiān)控且對(duì)產(chǎn)品晶圓圖形影響小

晶盛機(jī)電8英寸碳化硅外延設(shè)備和光學(xué)量測(cè)設(shè)備順利實(shí)現(xiàn)銷售

華燦光電前三季度實(shí)現(xiàn)營(yíng)收29.53億元，虧損達(dá)3.6億元

蜂巢能源將于2025年1月關(guān)閉歐洲業(yè)務(wù)

英特爾宣布擴(kuò)容英特爾成都封裝測(cè)試基地

一文解開遠(yuǎn)山氮化鎵功率器件實(shí)現(xiàn)耐高壓的秘密

鎵仁半導(dǎo)體成功制備VB法(非銥坩堝)2英寸氧化鎵單晶

尼康官宣旗下首款半導(dǎo)體后端工藝用光刻機(jī)

華海清科“驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)的保濕控制方法、晶圓清洗裝置、存儲(chǔ)介質(zhì)”專利公布

北方華創(chuàng)“一種進(jìn)氣管的清洗方法及半導(dǎo)體工藝設(shè)備”專利公布

精測(cè)電子收購(gòu)芯盛智能11.93%股權(quán) 發(fā)力存儲(chǔ)測(cè)試裝備領(lǐng)域

英飛凌推出CoolSiC?肖特基二極管2000V，直流母線電壓最高可達(dá)1500 VDC，效率更高，設(shè)計(jì)更簡(jiǎn)單

中國(guó)電科原副總經(jīng)理何文忠被逮捕

Wolfspeed擱置在德國(guó)建半導(dǎo)體工廠的計(jì)劃

上海華虹宏力申請(qǐng)接觸孔自對(duì)準(zhǔn)的MOSFET制造方法專利

廣東氣派科技申請(qǐng) MOSFET 的封裝結(jié)構(gòu)專利，采用封裝結(jié)構(gòu)得到的 MOSFET 散熱性能佳

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