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中芯國(guó)際申請(qǐng)光刻機(jī)焦距監(jiān)控相關(guān)專(zhuān)利，實(shí)現(xiàn)在線焦距監(jiān)控且對(duì)產(chǎn)品晶圓圖形影響小

晶盛機(jī)電8英寸碳化硅外延設(shè)備和光學(xué)量測(cè)設(shè)備順利實(shí)現(xiàn)銷(xiāo)售

華燦光電前三季度實(shí)現(xiàn)營(yíng)收29.53億元，虧損達(dá)3.6億元

蜂巢能源將于2025年1月關(guān)閉歐洲業(yè)務(wù)

英特爾宣布擴(kuò)容英特爾成都封裝測(cè)試基地

一文解開(kāi)遠(yuǎn)山氮化鎵功率器件實(shí)現(xiàn)耐高壓的秘密

鎵仁半導(dǎo)體成功制備VB法(非銥坩堝)2英寸氧化鎵單晶

尼康官宣旗下首款半導(dǎo)體后端工藝用光刻機(jī)

華海清科“驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)的保濕控制方法、晶圓清洗裝置、存儲(chǔ)介質(zhì)”專(zhuān)利公布

北方華創(chuàng)“一種進(jìn)氣管的清洗方法及半導(dǎo)體工藝設(shè)備”專(zhuān)利公布

精測(cè)電子收購(gòu)芯盛智能11.93%股權(quán) 發(fā)力存儲(chǔ)測(cè)試裝備領(lǐng)域

英飛凌推出CoolSiC?肖特基二極管2000V，直流母線電壓最高可達(dá)1500 VDC，效率更高，設(shè)計(jì)更簡(jiǎn)單

中國(guó)電科原副總經(jīng)理何文忠被逮捕

Wolfspeed擱置在德國(guó)建半導(dǎo)體工廠的計(jì)劃

上海華虹宏力申請(qǐng)接觸孔自對(duì)準(zhǔn)的MOSFET制造方法專(zhuān)利

廣東氣派科技申請(qǐng) MOSFET 的封裝結(jié)構(gòu)專(zhuān)利，采用封裝結(jié)構(gòu)得到的 MOSFET 散熱性能佳

富特科技：已實(shí)現(xiàn)SiC半導(dǎo)體器件在產(chǎn)品中的量產(chǎn)應(yīng)用，且應(yīng)用技術(shù)已相對(duì)成熟

華潤(rùn)微“一種LIGBT器件及其制備方法”專(zhuān)利公布

英特爾將在日本新建芯片研發(fā)中心

采埃孚與Wolfspeed芯片項(xiàng)目或告吹德國(guó)工業(yè)復(fù)蘇再受打擊

首期規(guī)模120億元，武漢“江城基金”聚焦泛半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)

東風(fēng)汽車(chē)已完成3款車(chē)規(guī)級(jí)芯片流片

Infinera獲美國(guó)《芯片法案》9300萬(wàn)美元資助

京東方“襯底基板、顯示基板以及光探測(cè)基板”專(zhuān)利獲授權(quán)

昂瑞微“一種芯片及其UserID檢測(cè)電路”專(zhuān)利獲授權(quán)

華虹宏力“一種嵌入式肖特基MOSFET制作方法”專(zhuān)利公布

杭州鎵仁半導(dǎo)體申請(qǐng)氧化鎵單晶襯底拋光片劃片方法專(zhuān)利，減少切割道周邊晶片解理、崩裂和微裂紋等缺陷的產(chǎn)生

江蘇集芯申請(qǐng)大尺寸碳化硅晶體生長(zhǎng)坩堝及生長(zhǎng)裝置專(zhuān)利，保證晶體中心位置和外側(cè)邊緣的生長(zhǎng)速率相一致

東風(fēng)汽車(chē)已完成3款車(chē)規(guī)級(jí)芯片流片

遠(yuǎn)山半導(dǎo)體發(fā)布新一代高壓氮化鎵功率器件

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