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推薦技術(shù)材料產(chǎn)業(yè)財(cái)經(jīng)應(yīng)用

南科大電子系化夢媛團(tuán)隊(duì)揭示與氮化鎵晶格匹配的GaON納米層的形成機(jī)理及應(yīng)用

北京大學(xué)在氧化物半導(dǎo)體器件方向取得系列重要進(jìn)展

簡述影響 MPCVD 法制備金剛石質(zhì)量的因素研究

簡述Ir襯底上金剛石半導(dǎo)體異質(zhì)外延生長技術(shù)與機(jī)理研究進(jìn)展

簡述高壓 SiC MOSFET 研究現(xiàn)狀與展望

廈大研究團(tuán)隊(duì)利用藍(lán)紫光LED泵浦實(shí)現(xiàn)雙波長放大的聚合物光波導(dǎo)放大器

華中科技大學(xué)又一篇Science

東大團(tuán)隊(duì)研究成果榮膺2022年度“中國半導(dǎo)體十大研究進(jìn)展”

簡述氮化鎵的合成制備及展望

2022年度中國半導(dǎo)體十大研究進(jìn)展

簡述氮化鎵晶格排列氧化氮化鎵納米層的形成及其在電子器件中的應(yīng)用

清華大學(xué)研究組在低維半金屬半導(dǎo)體接觸研究中取得進(jìn)展

上海光機(jī)所在高峰值功率皮秒深紫外光源方面取得研究進(jìn)展

簡述選擇GaN或SiC器件的重點(diǎn)

簡述通過柵極驅(qū)動器提高開關(guān)電源功率密度

長春應(yīng)化所在晶態(tài)有機(jī)發(fā)光二極管研究中取得重要進(jìn)展

東南大學(xué)兩項(xiàng)研究成果發(fā)表于電子器件領(lǐng)域頂會IEDM

廈大課題組在有機(jī)半導(dǎo)體空穴傳輸材料領(lǐng)域取得系列進(jìn)展

山東省新一代半導(dǎo)體技術(shù)與系統(tǒng)等重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室批準(zhǔn)建設(shè)

俄亥俄州立大學(xué)的碳化硅MOSFET可靠性研究之短路能力

上海微系統(tǒng)所在碳化硅異質(zhì)集成材料與光子器件領(lǐng)域取得進(jìn)展

中國科大在低維光伏材料點(diǎn)缺陷性質(zhì)研究中取得新進(jìn)展

清華大學(xué)研究團(tuán)隊(duì)合作利用激光加工氮化硼實(shí)現(xiàn)大規(guī)模高性能量子光源

氮化鎵柵極驅(qū)動專利：RC負(fù)偏壓關(guān)斷專利技術(shù)之臺達(dá)電子篇

淺談碳化硅壽命中的挑戰(zhàn)

硅基氮化鎵Micro-LED，實(shí)現(xiàn)高速可見光通信信號探測

西安交大提出“仿生門控”柔性傳感新模式

重要發(fā)現(xiàn)！3C-SiC有望PK單晶金剛石，成為高導(dǎo)熱材料的選擇

簡述低電感ANPC拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)集成新型950V IGBT和二極管技術(shù)

蘇州納米所孫錢團(tuán)隊(duì)研制出國際首支1200V的硅襯底GaN基縱向功率器件

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