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推薦技術材料產(chǎn)業(yè)財經(jīng)應用

【國際論文】具有集成鰭型二極管的低反向導通損耗氧化鎵縱向FinFET

具有集成鰭型二極管的低反向導通損耗氧化鎵縱向FinFET

世界最好水平！奧趨光電推出新一代超高透過率AlN單晶襯底

簡述GaN 外延生長方法及生長模式

國際團隊開發(fā)出一種“3D光量子存儲器”原創(chuàng)技術

中國科大在功率電子器件領域取得重要進展

基于全HVPE生長、具有創(chuàng)紀錄的高品質優(yōu)值(1.1 GW/cm2)的垂直GaN肖特基勢壘二極管

上海光機所在特殊波長的飛秒超快光纖激光器研制方面獲進展

中科院微電子所：在硅基氮化鎵橫向功率器件的動態(tài)可靠性研究方面取得進展

臺積2納米試產(chǎn) 有動作了

CASA發(fā)布《SiC MOSFET功率器件的應用可靠性評價技術體系報告》

簡述半導體工藝與制造裝備技術發(fā)展趨勢

中國電科55所高性能高可靠碳化硅MOSFET 技術及應用通過技術鑒定

“一種低操作電壓高一致性憶阻器及其制備方法”發(fā)明專利發(fā)布

廈門大學團隊發(fā)表Mini-LEDs非接觸檢測新技術

廈門大學張洪良團隊在寬禁帶氧化鎵半導體摻雜電子結構研究取得進展

中國科大參與實現(xiàn)“超快調(diào)速”自旋量子比特

廈大團隊在Micro-LED全彩顯示技術方面取得突破

成果上新！8英寸導電型碳化硅研制獲得成功

科友6/8英寸碳化硅規(guī)?；a(chǎn)取得重大技術突破

南科大化夢媛團隊揭示與氮化鎵晶格匹配的GaON納米層的形成機理及應用

南京郵電大學氧化鎵創(chuàng)新中心(IC-GAO)氧化鎵日盲紫外陣列成像器件研究取得新突破

詳解碳化硅晶片的磨拋工藝方案

MXene范德華接觸在氮化鎵高電子遷移率晶體管中的應用

國內(nèi)首次太赫茲軌道角動量的實時無線傳輸通信實驗完成 6G關鍵技術有新突破

中國半導體十大研究進展候選推薦——溶液生長BiI/BiI3范德華異質結構實現(xiàn)高靈敏X-射線探測

簡述激光在碳化硅半導體晶圓制程中的應用

簡述基于可調(diào)諧半導體激光吸收光譜的氧氣濃度高靈敏度檢測研究

上海微系統(tǒng)所等在自參考太赫茲雙光梳方面取得重要進展

北京大學攻克激光雷達抗干擾和高精度并行探測兩個世界性難題

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