2025年11月11-14日，年度國際第三代半導體行業(yè)盛會——第十一屆國際第三代半導體論壇&第二十二屆中國國際半導體照明論壇（IFWS&SSLCHINA 2025）將在廈門召開。屆時，北京國聯(lián)萬眾半導體科技有限公司將攜最新產(chǎn)品方案亮相本次盛會（展位號：A58），并誠摯邀請行業(yè)專家學者、業(yè)界同仁蒞臨現(xiàn)場，進行深入的交流與探討。
同時，北京國聯(lián)萬眾半導體科技有限公司產(chǎn)品開發(fā)部高級經(jīng)理王帥將在“化合物半導體射頻電子技術分會”上，發(fā)表《SiC基GaN射頻芯片與電力電子芯片技術》主題演講。詳情如下：
企業(yè)簡介
北京國聯(lián)萬眾半導體科技有限公司成立于2015年，是中國電科產(chǎn)業(yè)基礎研究院（中電十三所）下屬上市公司“中瓷電子：003031”的全資子公司。公司位于北京市順義區(qū)文良街15號，占地面積47.2畝，建筑面積7.1萬平方米。公司主營業(yè)務為第三代半導體氮化鎵和碳化硅芯片、器件的設計、生產(chǎn)與銷售，同時開展第三代半導體封裝、模塊、科技服務等業(yè)務。公司主導產(chǎn)品氮化鎵射頻功放芯片產(chǎn)品技術水平達到國際領先，并已在世界主流通信公司得到規(guī)模應用，累計發(fā)貨突破2億只;碳化硅 MOSFET產(chǎn)品技術水平達到國際先進，并已在新能源汽車、充電樁等領域開始大批量應用，累計發(fā)貨突破5萬只。
公司擁有國家“雙創(chuàng)”支撐平臺、眾創(chuàng)空間、中關村硬科技孵化平臺、北京市科技企業(yè)孵化器等資質，是國家第三代半導體創(chuàng)新技術中心(北京)主要建設和運營主體單位。2023年，國聯(lián)萬眾和中國電科產(chǎn)業(yè)基礎研究院控股上市公司“中瓷電子”重組成功，獲得募集資金將建設和開展“第三代半導體工藝及封測平臺建設項目”和“碳化硅高壓功率模塊關鍵技術研發(fā)項目”，進一步補充芯片及模塊產(chǎn)能，推動我國第三代半導體核心芯片實現(xiàn)自主可控，成為國際一流的第三代半導體骨干企業(yè)。
主題演講
王帥
北京國聯(lián)萬眾半導體科技有限公司產(chǎn)品開發(fā)部高級經(jīng)理
·演講題目
SiC基GaN射頻芯片與電力電子芯片技術
GaN-on-SiC RF and Power Electronics Chip Technologies
·會議名稱：化合物半導體射頻電子技術分會
·演講時間：2025年11月13日 10:00-10:20
·演講地點：泰地萬豪酒店·二層 · 大宴會廳1
產(chǎn)品簡介
01. SiC SBD 電力電子芯片
SIC二極管芯片，高溫高效，助力新能源與工業(yè)應用，性能卓越。
SIC diode chips excel in high-temperature and high-efficiency performance, powering new energy and industrial applications.
02. SiC MOS 電力電子芯片
SIC MOS芯片，高頻高效，開關損耗低，是提升系統(tǒng)功率密度的關鍵。
SIC MOS chips offer high-frequency operation,high efficiency, and low switching loss, key to boosting system power density.
03. 金屬陶瓷封裝用大功率GaN HEMT芯片
射頻GaN HEMT，高功率、高頻率，為5G與雷達提供核心動力。
RF GaN HEMT delivers high power and high frequency,serving as the core engine for 5G and radar systems.
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