拓荊科技9月12日發(fā)布晚間公告稱，公司擬定增募資不超過(guò)46億元，扣除發(fā)行費(fèi)用后的募集資金凈額擬投入高端半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)化基地建設(shè)項(xiàng)目、前沿技術(shù)研發(fā)中心建設(shè)項(xiàng)目并補(bǔ)充流動(dòng)資金。其中，高端半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)化基地建設(shè)項(xiàng)目系公司使用首次公開(kāi)發(fā)行募集資金2.68億元投資的項(xiàng)目，公司擬使用本次募集資金15億元對(duì)其進(jìn)行追加投資。

公告顯示，高端半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)化基地建設(shè)項(xiàng)目擬在遼寧省沈陽(yáng)市渾南區(qū)新建產(chǎn)業(yè)化基地，包括生產(chǎn)潔凈間、立體庫(kù)房、測(cè)試實(shí)驗(yàn)室等，并引入先進(jìn)的生產(chǎn)配套軟硬件，打造規(guī)模化、智能化、數(shù)字化的高端半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)化基地。項(xiàng)目原計(jì)劃投資總額11億元，根據(jù)實(shí)際需求，擬將項(xiàng)目投資總額由11億元增加至17.68億元，并計(jì)劃將原擬由自籌資金投入的8.32億元（截至本預(yù)案公告日尚未投入）調(diào)整為由本次募集資金進(jìn)行投入。

拓荊科技表示，本次項(xiàng)目的實(shí)施將大幅提升公司高端半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)能，支撐公司PECVD、SACVD、HDPCVD等薄膜沉積設(shè)備系列產(chǎn)品的產(chǎn)業(yè)化能力，并通過(guò)智能化配套設(shè)施建設(shè)，提升生產(chǎn)效率，以充分滿足下游市場(chǎng)及客戶需求，擴(kuò)大公司業(yè)務(wù)規(guī)模，從而進(jìn)一步提升公司競(jìng)爭(zhēng)能力和市場(chǎng)地位。

前沿技術(shù)研發(fā)中心建設(shè)項(xiàng)目實(shí)施主體為拓荊創(chuàng)益及拓荊上海，擬投資總額20.01億元，擬開(kāi)展多款先進(jìn)薄膜沉積設(shè)備的研發(fā)，包括PECVD、ALD、溝槽填充CVD等工藝設(shè)備，并逐步突破其中的前沿核心技術(shù)，進(jìn)而形成一系列具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)、面向前沿技術(shù)領(lǐng)域應(yīng)用的先進(jìn)薄膜沉積設(shè)備產(chǎn)。同時(shí)，持續(xù)進(jìn)行PECVD、ALD、溝槽填充CVD等產(chǎn)品的優(yōu)化升級(jí)，不斷提升產(chǎn)品性能，滿足先進(jìn)工藝的迭代需求。此外，該項(xiàng)目將進(jìn)行新一代自動(dòng)化控制系統(tǒng)和控制軟件架構(gòu)開(kāi)發(fā)，通過(guò)智能算法、優(yōu)化數(shù)據(jù)處理等方式，促進(jìn)設(shè)備性能的提升和自主創(chuàng)新性，進(jìn)一步強(qiáng)化上市公司薄膜沉積設(shè)備的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。

拓荊科技稱，該項(xiàng)目將從設(shè)備的硬件創(chuàng)新設(shè)計(jì)、控制系統(tǒng)及軟件開(kāi)發(fā)、高性能薄膜工藝開(kāi)發(fā)為核心切入點(diǎn)，對(duì)多種新型高端薄膜沉積設(shè)備進(jìn)行研發(fā)、產(chǎn)線驗(yàn)證及優(yōu)化，實(shí)現(xiàn)前沿核心技術(shù)的逐步突破，助力半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈生態(tài)的整體國(guó)產(chǎn)化轉(zhuǎn)型，提升國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體供應(yīng)鏈的安全自主水平。