東芝電子元件及存儲裝置株式會社（以下簡稱"東芝電子元件"）與山東天岳先進科技股份有限公司（以下簡稱"天岳先進"）就天岳先進開發(fā)制造的SiC功率半導體用襯底達成基本協(xié)議，雙方將開展以下合作：針對SiC功率半導體特性提升與品質(zhì)改善的技術(shù)協(xié)作，以及運用合作成果擴大高品質(zhì)穩(wěn)定襯底供應(yīng)的商業(yè)合作。今后雙方將就共同推進或相互協(xié)作的具體事項展開詳細磋商。
承擔電力供應(yīng)與控制功能的功率半導體，是實現(xiàn)所有電氣設(shè)備節(jié)能化及碳中和不可或缺的半導體元件。在設(shè)備電力使用效率提升等需求背景下，預計未來其市場需求將持續(xù)擴大。其中采用SiC襯底的功率半導體，因其應(yīng)用于電動汽車、可再生能源系統(tǒng)等要求高效電力轉(zhuǎn)換場景，在電力效率之外，可靠性與品質(zhì)穩(wěn)定性也成為重要課題。 基于此，東芝電子元件以鐵路用SiC功率半導體的開發(fā)、制造及供應(yīng)實績?yōu)榛A(chǔ)，正加速推進服務(wù)器電源用、車載用等SiC器件開發(fā)，未來將致力于進一步降低SiC功率半導體損耗，開發(fā)面向高效電力轉(zhuǎn)換應(yīng)用的高可靠性、高效率產(chǎn)品。為此，除東芝電子元件自主研發(fā)外，與SiC襯底技術(shù)改良的緊密協(xié)作也至關(guān)重要。此次與在SiC襯底開發(fā)及量產(chǎn)技術(shù)領(lǐng)域具有全球領(lǐng)導地位的天岳先進達成具體合作，有望為各應(yīng)用場景提供最優(yōu)解決方案，加速業(yè)務(wù)拓展。 天岳先進自2010年創(chuàng)立以來，始終專注于單晶SiC襯底的開發(fā)生產(chǎn)。公司將品質(zhì)與技術(shù)研發(fā)作為核心經(jīng)營理念，碳化硅襯底領(lǐng)域相關(guān)專利數(shù)量全球前五。以2022年中國首家SiC概念企業(yè)上市為契機，實現(xiàn)了全球化業(yè)務(wù)拓展與市場份額垂直增長。2024年率先發(fā)布全球首款12英寸SiC襯底，2025年實現(xiàn)n型、半絕緣型及p型全系產(chǎn)品12英寸襯底布局。未來將繼續(xù)通過卓越品質(zhì)與尖端技術(shù)，致力于成為客戶信賴的企業(yè)。此次與東芝電子元件達成合作，天岳先進將把SiC功率半導體產(chǎn)品的需求，以及東芝對SiC襯底核心技術(shù)應(yīng)用的期待，轉(zhuǎn)化為襯底品質(zhì)與可靠性的提升，助力SiC功率半導體市場發(fā)展。 東芝電子元件與天岳先進將基于此次簽署的基本協(xié)議，繼續(xù)商討具體合作內(nèi)容，以推動雙方業(yè)務(wù)發(fā)展。 （注：根據(jù)行業(yè)慣例，"SICC"采用企業(yè)中文官方名稱"山東天岳先進科技股份有限公司"的簡稱"天岳先進"；"東芝デバイス＆ストレージ株式會社"采用中國官方注冊名稱"東芝電子元件及存儲裝置株式會社"的簡稱"東芝電子元件"） （來源：天岳先進）
