國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司申請一項名為“一種雙腔處理系統(tǒng)及氣體供應(yīng)方法”的專利，公開號CN 118888421 A，申請日期為2024年7月。

專利摘要顯示，本發(fā)明公開了一種雙腔處理系統(tǒng)及氣體供應(yīng)方法，包括：兩個處理腔，用于分別對置于其中的基片進行工藝處理。主進氣通道，與一工藝氣體源相連，用于將所述工藝氣體源中的工藝氣體輸送至兩個所述處理腔內(nèi)。氣體流量調(diào)節(jié)組件，設(shè)置在所述主進氣通道上，包括至少一個氣體分流器。流量調(diào)整控制單元，用于根據(jù)兩個處理腔的基片處理結(jié)果控制所述氣體流量調(diào)節(jié)組件以實現(xiàn)對進入兩個處理腔內(nèi)的工藝氣體氣流的調(diào)整。本發(fā)明能夠解決由于雙腔處理系統(tǒng)的出氣口的固有問題導(dǎo)致的兩個處理腔的氣壓不同，進而導(dǎo)致兩個處理腔內(nèi)的刻蝕率存在不一致的問題。