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長飛先進武漢基地SiC項目

日期:2024-09-12 閱讀:291
核心提示:9月10日,長飛先進官微消息,公司武漢基地主樓全面封頂。據了解,該基地總投資超200億元,占地面積約22.94萬平方米,建筑面積約3

9月10日,長飛先進官微消息,公司武漢基地主樓全面封頂。 

據了解,該基地總投資超200億元,占地面積約22.94萬平方米,建筑面積約30.15萬平方米,項目主要聚焦于第三代半導體功率器件研發(fā)與生產,應用范圍廣泛覆蓋新能源汽車、光伏儲能、充電樁、電力電網等領域,致力于打造全智能化、世界一流的碳化硅器件制造標桿工廠。并且項目達產后,預計可年產36萬片6英寸碳化硅晶圓及外延、6100萬個功率器件模塊。目前,晶圓廠、封測廠、外延廠、宿舍樓和綜合樓已實現封頂;預計十月開始,長飛先進武漢基地將迎來首批設備搬入的重要節(jié)點,并于明年6月實現量產通線。

 

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