5月28日，青島佳恩半導體有限公司與西安電子科技大學戰(zhàn)略合作簽約儀式在青島隆重舉行，參加此次簽約儀式的嘉賓有城陽區(qū)科學與技術局領導、城陽區(qū)工業(yè)與信息化局領導以及青島膠州灣綜合保稅區(qū)管委共同見證了這一歷史時刻。西安電子科技大學毛教授與青島佳恩半導體有限公司總經理王丕龍先生在戰(zhàn)略合作協議上簽字，標志雙方的合作全面進入一個新的階段，對雙方來說，這都是具有里程碑意義的一件大事。

青島佳恩半導體有限公司一直致力于高端半導體功率器件的設計、開發(fā)、制造及銷售，作為新一代的功率半導體設計公司，佳恩掌握著創(chuàng)新型功率半導體核心技術，擁有自主知識產權和自主品牌。此次簽約儀式雙方就共同研究開展GAN（氮化鎵）功率器件結構設計與特性仿真，獲得器件優(yōu)化結構及參數，基于氮化鎵器件制造平臺開展器件核心工藝實驗研究、工藝參數優(yōu)化及器件樣品研制，針對氮化鎵功率器件特點，開展器件仿真研究，揭示器件特性與結構的內在關聯，開展氮化鎵功率器件的柵結構及柵金屬、歐姆接觸、鈍化層等核心工藝研究，此次強強聯合，是佳恩半導體開展功率器件研發(fā)的關鍵一步。

佳恩半導體將繼續(xù)以“中國芯”的社會責任為己任，不斷變革創(chuàng)新，為節(jié)能減排、推動新舊動能轉化做出貢獻，同時進一步推動“中國芯”的發(fā)展進程，努力創(chuàng)建并成為中國功率半導體行業(yè)尤其是IGBT芯片行業(yè)的領軍企業(yè)。