日前，長飛先進武漢基地項目首棟宿舍樓提前封頂。這標志著，該項目進入投產倒計時，預計于今年6月全面封頂，明年7月投產。長飛先進武漢基地項目位于武漢新城中心片區(qū)，由長飛先進半導體（武漢）有限公司出資建設，總投資預計超過200億元。

項目主要聚焦于第三代半導體功率器件研發(fā)與生產，應用范圍廣泛覆蓋新能源汽車、光伏儲能、充電樁、電力電網等領域，致力于打造全智能化、世界一流的碳化硅器件制造標桿工廠。項目建成后，將成為國內最大的碳化硅功率半導體制造基地。 

項目由中建一局承建，占地面積約22.94萬平方米，建筑面積約30.15萬平方米，主要建設內容包括芯片廠房、封裝廠房、外延廠房、動力廠房、成品庫、綜合辦公樓、員工宿舍以及生產配套用房設施等，建設周期為578日歷天。 建設方介紹，自去年9月開工以來，項目團隊克服各種高難度技術問題以及凍雨嚴寒、高溫、暴雨等極端天氣影響，圓滿完成了深基坑開挖、高大柱施工、高精度樓地面、華夫板、屋面鋼桁架吊裝等關鍵工期節(jié)點。 

項目達產后，預計可年產36萬片6英寸碳化硅晶圓及外延、6100萬個功率器件模塊，產能位居全國前列，將促進設備、材料、設計、制造、封裝、測試等產業(yè)鏈上下游通力合作，助力武漢打造國內化合物半導體產業(yè)高地，吸引世界級碳化硅半導體高端人才來武漢就業(yè)創(chuàng)業(yè)，助力形成創(chuàng)新活躍、要素齊全、開放協同的產業(yè)生態(tài)。

 （信息來源 | 長飛先進、湖北日報網）