4月30日，深圳市科技創(chuàng)新局發(fā)布“關(guān)于征集2024年度科技重大專項備選課題的通知”，面向全市企業(yè)、高校、科研機構(gòu)征集2024年科技重大專項備選課題，征集時間為2024年4月30日起至2024年5月21日，征集的課題將作為2024年科技重大專項指南編制參考。
征集的專項包括半導體與集成電路、智能機器人、網(wǎng)絡與通信、低空經(jīng)濟與空天、新藥疫苗、健康診療、新材料、光載信息、合成生物、可持續(xù)發(fā)展（生態(tài)環(huán)境和雙碳技術(shù)、安全應急技術(shù)、農(nóng)業(yè)、海洋、食品與化妝品技術(shù)）等10個專項，每個專項均設立具體的重點支持方向。
其中，半導體與集成電路專項重點支持方向包括開源RISC-V處理器技術(shù)、新型AI計算芯片、新一代智能EDA、先進IP技術(shù)、先進工藝和先進封裝、硅光芯片技術(shù)、新型光刻技術(shù)、CPU/DPU/FPGA等高端通用芯片、通信和物聯(lián)網(wǎng)芯片、存儲芯片相關(guān)技術(shù)、第三代半導體器件及車規(guī)級芯片、半導體核心設備，共12個方向。
據(jù)悉，科技重大專項單個項目資助強度最高不超過3000萬元。受科技研發(fā)資金年度總額控制，各專項發(fā)布課題有數(shù)量限制，一般只設少量資助金額1000萬元以上的課題、若干500萬元（含）-1000萬元（含）的課題、適量500萬元以下的課題。
課題征集結(jié)束后，深圳市科技創(chuàng)新局將組織凝練，形成2024年科技重大專項申報項目指南，以“揭榜掛帥”形式發(fā)布。
以下為半導體與集成電路專項征集方向情況：
1.開源RISC-V處理器技術(shù)
聚焦大數(shù)據(jù)、云計算、服務器、人工智能等產(chǎn)業(yè)共性需求，開發(fā)和完善RISC-V開源硬件和軟件系統(tǒng)，支持RISC-V多核架構(gòu)、精準評估模型、軟件工具鏈及生態(tài)等創(chuàng)新研發(fā)，鼓勵RISC-V架構(gòu)的相關(guān)軟硬件IP知識產(chǎn)權(quán)研發(fā)創(chuàng)新。研制面向數(shù)據(jù)中心、服務器、人工智能等產(chǎn)業(yè)的高端RISC-V處理器芯片產(chǎn)品。
2.新型AI計算芯片
開展新型計算芯片架構(gòu)研究，研發(fā)存算一體、類腦計算等面向人工智能領(lǐng)域的原生芯片架構(gòu)；研究多源多模態(tài)感、存、算融合智能接口芯片技術(shù)；研究大陣列GPU流處理器體系架構(gòu)；聚焦智能城市、人形機器人、智能終端等典型人工智能應用場景，布局異構(gòu)智能、異構(gòu)并行、邊緣計算等低功耗新型AI計算芯片，支持邊緣端萬億參數(shù)模型推理和參數(shù)優(yōu)化訓練。
3.新一代智能EDA
聚焦集成電路設計企業(yè)需求，加強EDA企業(yè)與晶圓代工企業(yè)之間的合作，開展數(shù)字、模擬、射頻、功率器件等領(lǐng)域EDA全鏈條工具研發(fā)，加速構(gòu)建具有自主知識產(chǎn)權(quán)的EDA技術(shù)體系；順應芯片復雜度及設計效率提升的趨勢，運用人工智能技術(shù)升級EDA工具，實現(xiàn)與國產(chǎn)計算架構(gòu)協(xié)同融合。
4.先進IP技術(shù)
加強IP企業(yè)與設計、晶圓代工和封裝等企業(yè)之間的合作，開展高速接口、處理器、模擬等領(lǐng)域IP研發(fā)；開發(fā)SerDes、DDR5、HBM3E（第三代高帶寬內(nèi)存）、ONFi（Open NAND Flash Interface）、UCIe、Ethernet PHY等先進高速接口IP，開發(fā)高速度ADC/DAC IP等。
5.先進工藝和先進封裝
研究5nm以下環(huán)柵晶體管（GAA）器件工藝，研究新型垂直互補場效應晶體管（CFFT）等新型器件結(jié)構(gòu)和工藝。攻堅異質(zhì)異構(gòu)集成、高密度垂直互聯(lián)、晶圓級封裝（WCP）微凸點、芯粒（Chiplet）、混合鍵合、高速互聯(lián)等先進封裝工藝技術(shù)。
6.硅光芯片技術(shù)
聚力發(fā)展光電融合芯片技術(shù)，研究探測器材料機理和結(jié)構(gòu)，開發(fā)中紅外光電探測器和太赫茲探測器；開展基于硅光集成的光電芯片、片上光互聯(lián)等技術(shù)研究；開展光電混合計算、全模擬光電智能計算、全光神經(jīng)網(wǎng)絡（ONN）、集成光學計算架構(gòu)等光子計算技術(shù)研究。
7.新型光刻技術(shù)
面向14nm及以下工藝的光刻技術(shù)需求，開展EUV光源、雙重成像、浸沒式光刻、近場光刻、電子束光刻（EBL）、離子束光刻（IBL）、X射線光刻（XRL）等各種光刻關(guān)鍵技術(shù)研究。研究面向14nm及以下工藝的掩模版制作技術(shù)。
8.CPU/DPU/FPGA等高端通用芯片
研究基于自主知識產(chǎn)權(quán)指令集研發(fā)CPU/DPU/FPGA等高性能通用芯片產(chǎn)品，重點支持高性能計算/服務器CPU、大型數(shù)據(jù)中心/邊緣計算DPU、千萬級以上邏輯單元的FPGA等，突破軟硬件、IP知識產(chǎn)權(quán)和工具鏈等關(guān)鍵技術(shù)。
9.通信和物聯(lián)網(wǎng)芯片
聚焦移動互聯(lián)網(wǎng)、5G/6G通信、云計算等應用需求，研究5G以上基帶芯片、Wi-Fi 7芯片、射頻前端芯片等產(chǎn)品；研發(fā)支持泛物聯(lián)網(wǎng)通信模組的物聯(lián)網(wǎng)芯片，解決大容量數(shù)據(jù)傳輸系統(tǒng)、新一代通信系統(tǒng)和高性能計算機中高速互連通信的關(guān)鍵技術(shù)。
10.存儲芯片相關(guān)技術(shù)
聚焦企業(yè)級、工業(yè)級用戶數(shù)據(jù)中心對海量數(shù)據(jù)存儲和傳輸應用需求，研究HBM（高帶寬內(nèi)存）技術(shù)，研究高傳輸速率、延遲低存儲主控芯片。研究3D NAND堆疊等存儲芯片封裝核心工藝技術(shù)。研究電阻式存儲器(ReRAM)、相變存儲器（PCM）、磁阻存儲器(MRAM)、鐵電存儲器（FeRAM）等新型存儲器件。
11.第三代半導體器件及車規(guī)級芯片
布局氮化鎵、氮化鋁、金剛石等為代表超寬禁帶半導體器件開發(fā);研究第三代半導體新型器件結(jié)構(gòu)、封裝和集成冷卻技術(shù);開發(fā)IGBT/MOSFET器件。聚焦汽車核心器件需求，研究E/E架構(gòu)區(qū)域處理芯片、高級駕駛輔助系統(tǒng)（ADAS）算力芯片、電池監(jiān)測和管理BMS（電池管理系統(tǒng)）芯片等。
12.半導體核心設備
鼓勵引導具有一定基礎的泛半導體設備企業(yè)轉(zhuǎn)型布局半導體設備，重點圍繞14nm以下工藝需求的沉積、刻蝕系統(tǒng)、離子注入機、PVD/CVD設備、擴散設備等前道設備，固晶機、倒裝封裝等關(guān)鍵封裝設備，28nm以下工藝需求的檢測量測設備進行攻關(guān)。
（來源：集微）
