2024年4月27日，“2024功率半導(dǎo)體器件與集成電路會議（CSPSD 2024）”在成都開幕。本次會議在電子科技大學(xué)和第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟指導(dǎo)下，由電子薄膜與集成器件國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室、電子科技大學(xué)集成電路研究中心、成都信息工程大學(xué)、極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)、中國電源學(xué)會元器件專業(yè)委員會共同主辦。

來自全國各地高?？蒲性核膶W(xué)術(shù)界專家、學(xué)者和產(chǎn)業(yè)界領(lǐng)袖200余位嘉賓代表出席本次論壇。圍繞硅基、化合物功率器件，以碳化硅和氮化鎵為代表的高壓及低壓等電力電子器件、功率集成電路、封裝等主題，深入探討交流最新技術(shù)進(jìn)展與發(fā)展趨勢，分享前沿研究成果，攜手促進(jìn)功率半導(dǎo)體器件與集成電路技術(shù)與應(yīng)用發(fā)展。電子科技大學(xué)教授周琦主持了論壇開幕式環(huán)節(jié)。

AI時代連接前沿 探索科技自主新實(shí)踐

算力時代AI芯片的性能和功率加速提升，驅(qū)動相關(guān)材料的技術(shù)變革和需求放量。半導(dǎo)體新材料支撐人工智能可持續(xù)發(fā)展。“功率芯”被認(rèn)為是“中國芯”的最佳突破口。功率半導(dǎo)體作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的重要組成部分，是國家“雙碳”戰(zhàn)略的關(guān)鍵支撐，也是保障國家安全和產(chǎn)業(yè)鏈安全的重要基石。功率半導(dǎo)體已廣泛應(yīng)用于國民經(jīng)濟(jì)各個領(lǐng)域。隨著人工智能、數(shù)字經(jīng)濟(jì)的蓬勃發(fā)展，功率半導(dǎo)體面臨新的機(jī)遇，也有望開拓更廣闊的市場空間。

電子科技大學(xué)教授 張波

作為四川代表性的科研力量之一，同時也是本次論壇的主辦方之一，電子科技大學(xué)是國家雙一流建設(shè)高校，完整覆蓋整個電子信息類學(xué)科，已成長為國內(nèi)電子信息領(lǐng)域高新技術(shù)的源頭，創(chuàng)新人才的基地。論壇大會主席，電子科技大學(xué)教授張波為論壇致辭時表示，當(dāng)前人工智能的快速發(fā)展，功率半導(dǎo)體的發(fā)展正當(dāng)時，非常重要。本次會議群英薈萃，眾多領(lǐng)域?qū)＜覍W(xué)者和業(yè)界翹楚將分享功率半導(dǎo)體最新研究成果，探討前沿技術(shù)問題，在當(dāng)前人工智能發(fā)展的科技背景下具有更加重要的意義。期待通過此次會議促進(jìn)學(xué)術(shù)交流，加強(qiáng)科技自主創(chuàng)新，推動功率半導(dǎo)體行業(yè)高質(zhì)量發(fā)展。

第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟副秘書長 耿博

第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟副秘書長耿博致辭時表示，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的核心競爭力決定科技發(fā)展的高度。當(dāng)前，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)進(jìn)入穩(wěn)步增長的發(fā)展態(tài)勢，在AI算力、電力等需求驅(qū)動下，全球半導(dǎo)體領(lǐng)域的資源投入達(dá)到了新的高峰。我國功率半導(dǎo)體市場規(guī)模逐年攀升，已成為全球功率半導(dǎo)體市場的重要增長極。未來，隨著材料、器件等產(chǎn)業(yè)全鏈條技術(shù)的進(jìn)步與提升，功率半導(dǎo)體發(fā)展空間巨大。成都的功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展迅速，已構(gòu)建了較為完整的產(chǎn)業(yè)鏈，在專業(yè)人才資源等方面有所積累，并擁有電子科技大學(xué)等具有優(yōu)勢的科研機(jī)構(gòu)，綜合實(shí)力強(qiáng)大。希望借此會議契機(jī)，共同為業(yè)界搭建高質(zhì)量的開放互動交流平臺，共同探討，助力探索科技自主實(shí)踐。

深度聚焦技術(shù)進(jìn)展  助力新時代科技應(yīng)用前行

大會主旨報(bào)告環(huán)節(jié)，六大重量級報(bào)告，深入探討交流功率半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)及集成應(yīng)用的最新進(jìn)展及前沿新方向。電子科技大學(xué)教授周琦和第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟副秘書長耿博共同主持了大會報(bào)告環(huán)節(jié)。

電子科技大學(xué)教授周琦

成都信息工程大學(xué)副校長、電子科技大學(xué)教授羅小蓉

《氮化鎵功率器件結(jié)構(gòu)、驅(qū)動和電源應(yīng)用》

GaN作為第三代半導(dǎo)體的代表，具備寬帶隙、高臨界擊穿電場和高電子遷移率等優(yōu)勢，在電力電子技術(shù)領(lǐng)域受到廣泛關(guān)注。成都信息工程大學(xué)副校長、電子科技大學(xué)教授羅小蓉做了題為“氮化鎵功率器件結(jié)構(gòu)、驅(qū)動和電源應(yīng)用” 的主題報(bào)告， 重點(diǎn)闡述GaN在功率器件、柵驅(qū)動以及高效電能變換三個方面的技術(shù)現(xiàn)狀、挑戰(zhàn)以及應(yīng)對方法，涉及高可靠低損耗GaN電力電子器件新結(jié)構(gòu)，高頻率高精度GaN柵驅(qū)動技術(shù)，以及基于GaN的高效高功率密度電源系統(tǒng)。

第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟副秘書長趙璐冰

《第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀及展望》

應(yīng)用需求推動半導(dǎo)體新材料不斷發(fā)展，顛覆性技術(shù)不斷涌現(xiàn)，我國巨大的市場需求亟待滿足。第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟副秘書長趙璐冰做了“第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀及展望”的主題報(bào)告，分享了當(dāng)前產(chǎn)業(yè)整體發(fā)展現(xiàn)狀，形勢與需求。報(bào)告指出，新能源汽車等應(yīng)用產(chǎn)業(yè)高速發(fā)展帶動第三代半導(dǎo)體需求增長。8英寸SiC量產(chǎn)加快，企業(yè)積極布局溝槽柵MOSFET，氮化鎵邁向更廣闊領(lǐng)域。超寬禁帶半導(dǎo)體作為戰(zhàn)略儲備技術(shù)成為各國關(guān)注焦點(diǎn)。國際已進(jìn)入產(chǎn)業(yè)化快速發(fā)展階段，我國核心材料和器件的規(guī)?；a(chǎn)能力亟待突破。

廣東芯粵能半導(dǎo)體有限公司首席技術(shù)官相奇

《大規(guī)模碳化硅功率器件制造探索 》

廣東芯粵能半導(dǎo)體有限公司首席技術(shù)官相奇做了題為“大規(guī)模碳化硅功率器件制造探索 ”的主題報(bào)告，分享了市場需求、研發(fā)與制造的新進(jìn)展。報(bào)告指出，“雙碳”戰(zhàn)略開啟能源轉(zhuǎn)換的黃金時代，碳化硅很適合功率器件，具有系統(tǒng)優(yōu)勢。全球碳化硅功率器件市場需求爆發(fā)式增長。在新能源汽車應(yīng)用潛力巨大。當(dāng)前全球碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈價(jià)值主要集中在上游，主要由海外頭部企業(yè)主導(dǎo)。碳化硅市場規(guī)模和應(yīng)用領(lǐng)域爆發(fā)式增長推動規(guī)?；蛯I(yè)化生產(chǎn)。 

電子科技大學(xué)集成電路科學(xué)與工程學(xué)院副院長、教授陳萬軍

《超快高壓脈沖功率半導(dǎo)體器件與應(yīng)用》

電子科技大學(xué)集成電路科學(xué)與工程學(xué)院副院長、教授陳萬軍做了題為“超快高壓脈沖功率半導(dǎo)體器件與應(yīng)用”的主題報(bào)告，分享了最新研究成果。報(bào)告指出，超快高壓脈沖功率半導(dǎo)體器件是全固態(tài)脈沖功率系統(tǒng)的核心和關(guān)鍵。研制超快高壓脈沖功率芯片用于小型化脈沖起爆/點(diǎn)火系統(tǒng)，重復(fù)脈沖發(fā)動機(jī)點(diǎn)火系統(tǒng)，固態(tài)直流斷路器等領(lǐng)域。 

西安交通大學(xué)電氣工程學(xué)院教授王來利

《碳化硅功率半導(dǎo)體器件與變換器封裝集成技術(shù)研究》

現(xiàn)有的器件封裝技術(shù)主要是基于硅半導(dǎo)體發(fā)展而來，難于充分發(fā)揮碳化硅半導(dǎo)體的優(yōu)勢，已經(jīng)成為碳化硅器件走向大規(guī)模應(yīng)用的瓶頸性問題。西安交通大學(xué)電氣工程學(xué)院教授王來利做了題為“碳化硅功率半導(dǎo)體器件與變換器封裝集成技術(shù)研究”的主題報(bào)告，分享了最新研究進(jìn)展與成果。報(bào)告指出，過去幾十年，半導(dǎo)體技術(shù)快速發(fā)展，芯片特性顯著提升。半導(dǎo)體芯片、器件封裝、裝備應(yīng)用還面臨著更高耐壓、效率、頻率等挑戰(zhàn)。相同封裝下寬禁帶器件比硅器件面臨更高的電熱應(yīng)力。也面臨著寬禁帶器件封裝材料體系無法匹配半導(dǎo)體高溫特性的挑戰(zhàn)。 

成都高投芯未半導(dǎo)體有限公司常務(wù)副總經(jīng)理蔣興莉博士

《高密度IGBT實(shí)現(xiàn)路徑》

成都高投芯未半導(dǎo)體有限公司常務(wù)副總經(jīng)理蔣興莉博士做了題為“高密度IGBT實(shí)現(xiàn)路徑”的主題報(bào)告，報(bào)告指出，盡管本土產(chǎn)量增速高于需求增速，但供需缺口絕對量仍有較大空間，仍以進(jìn)口為主。從下游IGBT需求結(jié)構(gòu)來看，中國IGBT需求結(jié)構(gòu)與全球市場不同，新能源汽車，消費(fèi)電子和工控是IGBT需求占比最大的三個下游領(lǐng)域。

會議期間，在第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟副秘書長趙璐冰的主持下，電子科技大學(xué)教授張波 ，大連理工大學(xué)教授王德君，廣東芯粵能半導(dǎo)體有限公司首席技術(shù)官相奇，西安交通大學(xué)電氣工程學(xué)院教授王來利，電子科技大學(xué)集成電路科學(xué)與工程學(xué)院副院長、教授陳萬軍，成都高投芯未半導(dǎo)體有限公司常務(wù)副總經(jīng)理蔣興莉博士齊聚，圍繞著寬禁帶半導(dǎo)體SiC/GaN、傳統(tǒng)Si基功率半導(dǎo)體的未來發(fā)展與機(jī)遇，SiC的爆發(fā)點(diǎn)、瓶頸，GaN的發(fā)展空間，大規(guī)模應(yīng)用領(lǐng)域，以及金剛石、GaO、AlN等的發(fā)展機(jī)會等當(dāng)前產(chǎn)業(yè)發(fā)展的最熱點(diǎn)話題，展開探討，現(xiàn)場提問不斷，交流互動氛圍熱烈。

本次論壇除開幕大會，兩天時間里，還設(shè)置了兩大平行論壇，圍繞“硅基、化合物功率器件設(shè)計(jì)及集成應(yīng)用”、“高壓器件設(shè)計(jì)、集成及封裝應(yīng)用“等主題方向，來自產(chǎn)業(yè)鏈的企業(yè)及高?？蒲性核膶?shí)力派嘉賓代表將深入研討，攜手促進(jìn)功率半導(dǎo)體器件與集成電路技術(shù)及應(yīng)用發(fā)展。

論壇同期還設(shè)置了主題展覽，交流晚宴、商務(wù)考察等線上線下豐富的活動形式，凝心聚力，助力對接資源，洽談合作。論壇期間，組織安排嘉賓代表們有意向的走訪電子科技大學(xué)、國家集成電路產(chǎn)教融合創(chuàng)新平臺、電子科技大學(xué)分析測試中心、功率集成技術(shù)實(shí)驗(yàn)室等，實(shí)地了解，探討更多合作可能。

CASICON 系列活動簡介

“先進(jìn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)大會（CASICON）” 是由【極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)】主辦，每年在全國巡回舉辦的行業(yè)綜合活動?；顒泳劢瓜冗M(jìn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展熱點(diǎn)領(lǐng)域與應(yīng)用方向，聚合產(chǎn)業(yè)相關(guān)各方訴求，通過“主題會議+項(xiàng)目路演+展覽”等形式，促進(jìn)參與各方交流合作，積極推動產(chǎn)業(yè)發(fā)展。CASICON 系列活動將以助力第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展為己任，持續(xù)輸出高質(zhì)量的活動內(nèi)容，搭建更好的交流平臺，為產(chǎn)業(yè)發(fā)展貢獻(xiàn)應(yīng)盡的力量。

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