時間

主要安排

4月27日

09:00-20:00

報到&資料領取

13:30-17:30

開幕大會暨主旨報告

19:00-21:00

歡迎晚宴

4月28日

08:30-12:00

分論壇1：硅基、化合物功率器件設計及集成應用

分論壇2：高壓器件設計、集成及封裝應用

12:00-13:30

自助午餐&交流

13:30-18:00

分論壇1：硅基、化合物功率器件設計及集成應用

分論壇2：高壓器件設計、集成及封裝應用

18:00-20:00

自助晚餐&交流

備注：僅供參考，以現場為準。

時間

題目

報告人

主持人

4月27日13:30-18:00

開幕大會及主旨報告

13:30-13:50

嘉賓致辭

13:50-14:20

氮化鎵功率器件結構、驅動和電源應用

羅小蓉--成都信息工程大學副校長、電子科技大學教授

周 琦--電子科技大學教授

14:20-14:50

第三代半導體產業(yè)發(fā)展現狀及展望

趙璐冰--第三代半導體產業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟副秘書長

14:50-15:20

大規(guī)模碳化硅功率器件制造探索

相  奇--芯粵能半導體首席技術官

15:20-15:35

Cofee break/茶歇

15:35-16:05

硅基脈沖功率器件

陳萬軍--電子科技大學 集成電路科學與工程學院副院長、教授

趙璐冰--第三代半導體產業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟副秘書長

16:05-16:35

碳化硅功率半導體器件與變換器封裝集成技術研究

王來利--西安交通大學系主任、教授

西安交通大學紹興市通越寬禁帶半導體研究院院長

16:35-17:05

高密度IGBT實現技術

孟繁新--成都森未科技有限公司首席專家、成都高投芯未半導體有限公司CTO   

17:05-18:00

Panel Discussion/圓桌對話

1.  在面臨寬禁帶半導體SiC/GaN等的競爭，傳統(tǒng)Si基功率半導體未來的方向在何方，未來是否還能持續(xù)現在霸主的地位？ 在此背景下SiC/GaN的機會又在哪里？ 

2. SiC目前受到新能源汽車的帶動，發(fā)展迅速，下一個爆發(fā)點可能在哪個領域，何時會到來？在爆發(fā)前所面臨需要的突破的瓶頸是什么？目前， 這方面國內和國際上的發(fā)展情況如何？

3. 前有硅基功率器件，同時有SiC的競爭，請展望一下GaN的發(fā)展空間？除消費類電源適配器這個應用，下一個可能大規(guī)模應用的領域在哪里？

4. 同是寬禁帶的GaO，金剛石，AlN等的機會在哪里？目前，國內這方面很熱。然而國外的熱度反而沒有那么高，為什么 ?

19:00-21:00 歡迎晚宴

4月28日 8:30-12:00  13:30-18:00

分論壇1：硅基、化合物功率器件設計及集成應用

08:30-08:50

ICT場景下中低壓(<200V) GaN器件應用挑戰(zhàn)

包琦龍--海思半導體功率半導體器件部技術專家

周琦--電子科技大學教授

08:50-09:10

PGaN增強型GaN功率器件設計與仿真技術

劉  勇--成都氮矽科技有限公司資深GaN器件總監(jiān)

09:10-09:30

GaN功率半導體器件仿真建模與制備研究

張紫輝--廣東工業(yè)大學教授

09:30-09:50

氮化鎵功率器件開關安全工作區(qū)的研究

蔣其夢--中國科學院微電子所研究員

09:50-10:10

氮化鎵異質界面溫升表征方法

張亞民--北京工業(yè)大學副教授

10:10-10:25

茶歇-Coffee break

10:25-10:55

高速低損耗SOI LIGBT新結構與機理研究

魏  杰--電子科技大學研究員  

周弘--西安電子科技大學教授

10:55-11:15

非晶氧化物半導體功率器件：理論極限和初步實現

周賢達--廣東工業(yè)大學副教授

11:15-11:35

Ga-O原子間勢函數及其應用研究

化夢媛--南方科技大學助理教授

11:35-11:50

高功率氧化鎵肖特基二極管研究

韓仕達--中國電子科技集團公司第十三研究所 工程師

11:55-12:10

一種新型氮化鎵基發(fā)光高電子遷移率晶體管：面向高分辨率顯示與高速光通信

任開琳--上海大學副教授

12:00-13:30  午餐自助

13:30-13:50

金剛石半導體材料及功能器件研究

朱嘉琦--哈爾濱工業(yè)大學教授

羅鵬--氮矽半導體總經理

13:50-14:10

金剛石半導體器件可靠性新機制

徐躍杭--電子科技大學教授、電子科技大學長三角研究院（湖州）集成電路與系統(tǒng)中心主任

14:10-14:30

高K介質在橫向功率器件中的應用

姚佳飛--南京郵電大學南通研究院執(zhí)行副院長姚佳飛

14:30-14:50

新型功率半導體器件在新基建中的應用

林書勛--成都海威華芯科技有限公司生產總監(jiān)

潘嶺峰--萊普科技副總經理

14:50-15:10

用于功率轉換系統(tǒng)的氮化鎵單片集成

劉 雯--西交利物浦大學高級副教授

15:10-15:30

肖特基型p-GaN柵HEMT的柵極抗靜電魯棒性

孫佳慧--香港科技大學助理教授 

15:30-15:45

Coffee Break/茶歇

15:45-16:05

如何使GaN功率器件如Si MOSFET一樣簡單易用？

魏  進--北京大學研究員

黃義--重慶郵電大學教授

16:05-16:25

基于化合物半導體異質結的高性能器件設計與制備

巫  江--電子科技大學基礎與前沿研究院副院長

16:25-16:45

應用于工業(yè)及汽車市場的GaN功率器件制造技術

劉  成--湖南三安半導體有限責任公司 研發(fā)經理

16:45-17:00

氮化鎵功率器件與工業(yè)級應用前景

唐高飛--云鎵半導體技術總監(jiān)

明鑫--電子科技大學教授

17:00-17:15

低損耗高耐壓Si基GaN雙向阻斷功率器件研究

王方洲--松山湖材料實驗室工程師

17:15-17:30

氧化鎵垂直功率半導體器件

徐光偉--中國科學技術大學研究員

17:30-17:45

高壓大功率氧化鎵晶體管研究

王晨璐--西安電子科技大學博士后

17:45-18:00

氫處理p-GaN柵器件開發(fā)與單片集成電路共設計流程

李  帆--西交利物浦大學 

備注：最終以現場為準。

時間

題目

報告人

主持人

4月27日13:30-18:00

開幕大會及主旨報告

13:30-13:50

嘉賓致辭

13:50-14:20

氮化鎵功率器件結構、驅動和電源應用

羅小蓉--成都信息工程大學副校長、電子科技大學教授

周 琦--電子科技大學教授

14:20-14:50

第三代半導體產業(yè)發(fā)展現狀及展望

趙璐冰--第三代半導體產業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟副秘書長

14:50-15:20

大規(guī)模碳化硅功率器件制造探索

相  奇--芯粵能半導體首席技術官

15:20-15:35

Cofee break/茶歇

15:35-16:05

硅基脈沖功率器件

陳萬軍--電子科技大學 集成電路科學與工程學院副院長、教授

趙璐冰--第三代半導體產業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟副秘書長

16:05-16:35

碳化硅功率半導體器件與變換器封裝集成技術研究

王來利--西安交通大學系主任、教授

西安交通大學紹興市通越寬禁帶半導體研究院院長

16:35-17:05

高密度IGBT實現技術

孟繁新--成都森未科技有限公司首席專家、成都高投芯未半導體有限公司CTO   

17:05-18:00

Panel Discussion/圓桌對話

1.  在面臨寬禁帶半導體SiC/GaN等的競爭，傳統(tǒng)Si基功率半導體未來的方向在何方，未來是否還能持續(xù)現在霸主的地位？ 在此背景下SiC/GaN的機會又在哪里？ 

2. SiC目前受到新能源汽車的帶動，發(fā)展迅速，下一個爆發(fā)點可能在哪個領域，何時會到來？在爆發(fā)前所面臨需要的突破的瓶頸是什么？目前， 這方面國內和國際上的發(fā)展情況如何？

3. 前有硅基功率器件，同時有SiC的競爭，請展望一下GaN的發(fā)展空間？除消費類電源適配器這個應用，下一個可能大規(guī)模應用的領域在哪里？

4. 同是寬禁帶的GaO，金剛石，AlN等的機會在哪里？目前，國內這方面很熱。然而國外的熱度反而沒有那么高，為什么 ?

19:00-21:00 歡迎晚宴

4月28日 8:30-12:00  13:30-18:00

分論壇1：硅基、化合物功率器件設計及集成應用

08:30-08:50

ICT場景下中低壓(<200V) GaN器件應用挑戰(zhàn)

包琦龍--海思半導體功率半導體器件部技術專家

周琦--電子科技大學教授

08:50-09:10

PGaN增強型GaN功率器件設計與仿真技術

劉  勇--成都氮矽科技有限公司資深GaN器件總監(jiān)

09:10-09:30

GaN功率半導體器件仿真建模與制備研究

張紫輝--廣東工業(yè)大學教授

09:30-09:50

氮化鎵功率器件開關安全工作區(qū)的研究

蔣其夢--中國科學院微電子所研究員

09:50-10:10

氮化鎵異質界面溫升表征方法

張亞民--北京工業(yè)大學副教授

10:10-10:25

茶歇-Coffee break

10:25-10:55

高速低損耗SOI LIGBT新結構與機理研究

魏  杰--電子科技大學研究員  

周弘--西安電子科技大學教授

10:55-11:15

非晶氧化物半導體功率器件：理論極限和初步實現

周賢達--廣東工業(yè)大學副教授

11:15-11:35

Ga-O原子間勢函數及其應用研究

化夢媛--南方科技大學助理教授

11:35-11:50

高功率氧化鎵肖特基二極管研究

韓仕達--中國電子科技集團公司第十三研究所 工程師

11:55-12:10

一種新型氮化鎵基發(fā)光高電子遷移率晶體管：面向高分辨率顯示與高速光通信

任開琳--上海大學副教授

12:00-13:30  午餐自助

13:30-13:50

金剛石半導體材料及功能器件研究

朱嘉琦--哈爾濱工業(yè)大學教授

羅鵬--氮矽半導體總經理

13:50-14:10

金剛石半導體器件可靠性新機制

徐躍杭--電子科技大學教授、電子科技大學長三角研究院（湖州）集成電路與系統(tǒng)中心主任

14:10-14:30

高K介質在橫向功率器件中的應用

姚佳飛--南京郵電大學南通研究院執(zhí)行副院長姚佳飛

14:30-14:50

新型功率半導體器件在新基建中的應用

林書勛--成都海威華芯科技有限公司生產總監(jiān)

潘嶺峰--萊普科技副總經理

14:50-15:10

用于功率轉換系統(tǒng)的氮化鎵單片集成

劉 雯--西交利物浦大學高級副教授

15:10-15:30

肖特基型p-GaN柵HEMT的柵極抗靜電魯棒性

孫佳慧--香港科技大學助理教授 

15:30-15:45

Coffee Break/茶歇

15:45-16:05

如何使GaN功率器件如Si MOSFET一樣簡單易用？

魏  進--北京大學研究員

黃義--重慶郵電大學教授

16:05-16:25

基于化合物半導體異質結的高性能器件設計與制備

巫  江--電子科技大學基礎與前沿研究院副院長

16:25-16:45

應用于工業(yè)及汽車市場的GaN功率器件制造技術

劉  成--湖南三安半導體有限責任公司 研發(fā)經理

16:45-17:00

氮化鎵功率器件與工業(yè)級應用前景

唐高飛--云鎵半導體技術總監(jiān)

明鑫--電子科技大學教授

17:00-17:15

低損耗高耐壓Si基GaN雙向阻斷功率器件研究

王方洲--松山湖材料實驗室工程師

17:15-17:30

氧化鎵垂直功率半導體器件

徐光偉--中國科學技術大學研究員

17:30-17:45

高壓大功率氧化鎵晶體管研究

王晨璐--西安電子科技大學博士后

17:45-18:00

氫處理p-GaN柵器件開發(fā)與單片集成電路共設計流程

李  帆--西交利物浦大學 

備注：最終以現場為準。