2024年4月9-11日，一年一度化合物半導體行業(yè)盛會——2024九峰山論壇暨中國國際化合物半導體產(chǎn)業(yè)博覽會（簡稱“JFSC＆CSE”）將于武漢光谷科技會展中心舉辦。 山東力冠微電子裝備有限公司作為參展商，將攜新品亮相本屆盛會，分享在裝備技術方面的新突破及新進展。并邀您相聚博覽會，蒞臨2T32號展臺參觀交流、洽談合作。 

本屆CSE博覽會由第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟、九峰山實驗室共同主辦，以“聚勢賦能 共赴未來”為主題將匯集全球頂尖的化合物半導體制造技術專家、行業(yè)領袖和創(chuàng)新者，以及從芯片設計、晶圓制造、封裝測試、材料和設備到核心部件領域企業(yè)參展。CSE作為2024年首場國際化合物半導體產(chǎn)業(yè)博覽會得到了多方力量的大力支持，三大主題展區(qū)，六大領域，將集中展示各鏈條關鍵環(huán)節(jié)的新技術、新產(chǎn)品、新服務，將打造化合物半導體領域的標桿性展會。助力打造全球化合物半導體平臺、技術、產(chǎn)業(yè)的燈塔級盛會，集中展示化合物半導體上下游全產(chǎn)業(yè)鏈產(chǎn)品，搭建企業(yè)發(fā)布年度新產(chǎn)品新技術的首選平臺，支撐產(chǎn)業(yè)鏈及中部地區(qū)建設具有全球影響力的萬億級光電子信息產(chǎn)業(yè)集群。

力冠微成立于2013年，國家高新技術企業(yè)，經(jīng)十年的發(fā)展，已成為國內領先的半導體工藝裝備制造商。主要從事高端半導體專用設備的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售與專業(yè)化的技術服務。公司產(chǎn)品被廣泛服務于集成電路、功率半導體、化合物半導體、5G芯片、光通信、MEMS、等新型電子器件制造領域，致力于半導體裝備產(chǎn)業(yè)的振興與發(fā)展。

產(chǎn)品介紹

 1.HVPE單晶生長設備（立式/臥式）

用于氮化鎵（GaN）單晶生長,以及氧化鎵（Ga2O3）、氮化鋁（AlN）、磷化銦（InP）外延生長

產(chǎn)品特點：

·基礎工藝包

1.氮化鎵（GaN）單晶生長尺寸：2英寸

2.單晶生長速率：≥50微米/小時

3.藍寶石村底外延生長氮化鎵（GaN）單晶層厚度：＜200微米

·襯底：2/4/6英寸

·數(shù)量：1片/多片

·立式/臥式結構合理可靠，滿足客戶多種尺寸襯底，多種操作方式需要

·控溫精度高，溫區(qū)穩(wěn)定性好

·完美可靠的安全保護功能：硬件保護+軟件互鎖 

2.PVT晶體生長設備

本設備主要用于碳化硅（SiC）、氮化鋁（AlN）單晶生長

產(chǎn)品特點：

·提供兩種工藝包

①外形包：產(chǎn)出6英寸碳化硅（SiC）單晶，外形不開裂

②工藝包：晶型4H

電阻率：0.015~0.025ohm·cm

直徑：150.25±0.25mm

厚度：≥10（Figure 2）mm

微管密度：≤3ea/cm²

·溫度最高可達2400℃

·加熱方式：感應、電阻

·襯底尺寸：4/6/8英寸

 3.晶體提拉設備

直拉法晶體生長專用設備，可實現(xiàn)在高壓、真空和保護氣氛下直拉生長晶體。采用自動稱重結構，在保證晶體品質的前提下實現(xiàn)了直拉晶體的自動生長過程。應用于氧化鎵單晶生長，SiC單晶、激光單晶等生長。

產(chǎn)品特點：

·高精度的傳感器和控制軟件

·自動控制晶體外形

·最高溫度：2400℃

·晶體尺寸：2-8英寸

值此之際，我們誠邀業(yè)界同仁共聚本屆盛會，蒞臨展位現(xiàn)場參觀交流、洽談合作。

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